处理中...

首页  >  产品百科  >  HM120N03-VB

HM120N03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: HM120N03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM120N03-VB

HM120N03-VB概述

    HM120N03-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    HM120N03-VB 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高达 30V 的漏源电压。该产品具有高效率、低导通电阻的特点,主要应用于服务器、直流转换器以及 OR-ing 应用中。由于其出色的性能和可靠性,这款 MOSFET 广泛用于工业自动化、电信基础设施和电源管理等领域。

    技术参数


    以下是 HM120N03-VB 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 30 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.0 | 3.0 V |
    | 漏极连续电流 | ID | 39 | 110 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 3 | A |
    | 重复雪崩电流 | IS | 22 A |
    | 雪崩能量 | EAS 375 | mJ |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 0.0020 Ω |
    | 导通电阻(VGS=4.5V) | RDS(on) 0.0028 Ω |
    | 门限电压温度系数 | ΔVGS(th)/TJ -7.5 mV/°C |
    | 漏源电压温度系数 | ΔVDS/TJ | 35 mV/°C |
    | 热阻(结至环境) | RthJA 32 | 40 | °C/W |
    | 热阻(结至外壳) | RthJC | 0.5 0.6 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 全生命周期测试:100% 的 Rg 和 UIS 测试保证产品质量。
    2. RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU。
    3. 低导通电阻:在 10V 门限电压下,导通电阻仅为 0.0020Ω。
    4. 高电流处理能力:连续漏极电流最高可达 110A,脉冲漏极电流为 3A。
    5. 良好的热稳定性:热阻参数使得该器件在高功率应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:适用于服务器和直流转换器中,确保电源切换时的安全可靠。
    - 服务器电源:作为高效能开关元件,减少电力损耗,提高系统整体效率。
    - 直流转换器:集成于高性能电源模块中,实现稳定高效的电压转换。
    使用建议:
    1. 在高温环境中使用时,注意散热设计,确保温度不超过最大值。
    2. 避免长时间在极限条件下工作,以延长产品寿命。
    3. 在设计电路时,合理选择外围组件,如门极电阻和滤波电容,以优化性能。

    兼容性和支持


    HM120N03-VB 支持广泛的电源和控制系统。厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户进行有效的选型和应用开发。同时,还提供在线技术支持和售后服务,确保用户可以得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保器件在高温环境下正常工作?
    答:设计散热系统,确保工作温度不高于最大允许温度。
    2. 问:产品是否通过 RoHS 认证?
    答:是的,产品完全符合 RoHS 2011/65/EU 指令。
    3. 问:如何验证产品的抗干扰能力?
    答:参考数据手册中的 EMI/EMC 特性部分,通过适当布局和屏蔽技术提升抗干扰性能。

    总结和推荐


    HM120N03-VB 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高电流处理能力和良好的热稳定性,适用于多种严苛的工业应用。考虑到其卓越的性能和可靠的支持服务,强烈推荐在需要高性能开关元件的设计中使用 HM120N03-VB。

HM120N03-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 180A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HM120N03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM120N03-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM120N03-VB HM120N03-VB数据手册

HM120N03-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 37.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336