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WFP5N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: WFP5N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP5N60-VB

WFP5N60-VB概述

    WFP5N60 N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WFP5N60 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种电子应用领域。其设计注重低功耗和高效率,特别适合开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和高速功率转换等场景。这款 MOSFET 配备低门极电荷(Qg)和增强的门极抗压能力,可以减少驱动复杂度并提高整体可靠性。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 备注 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | V | - | 600 | - | 在 VGS=0V,ID=250μA 条件下测得。 |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | Ω | - | 0.780 | - | 在 VGS=10V,ID=5.5A 条件下测得。 |
    | 总栅极电荷(Qg) | nC | - | 49 | - | 测量条件为 VGS=10V,ID=8.0A,VDS=400V。 |
    | 门极-源极电容(Ciss) | pF | - | 1400 | - | 测量条件为 VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz。 |
    | 最大功率耗散(PD) | W | - | 170 | - | 在 TJ=25℃ 条件下测得。 |
    | 最高结温(TJ) | ℃ | -55 | 150 | - | 操作和存储温度范围。 |
    | 热阻抗(RthJA) | °C/W | - | 62 | - | 结点到环境的热阻抗。 |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg):有助于简化驱动电路设计,降低驱动功耗。
    2. 高可靠性和坚固性:具备改进的门极、雪崩及动态 dV/dt 耐压特性,增强了在恶劣环境下的运行稳定性。
    3. 全面认证的参数:雪崩电压和电流均经过充分验证,确保在极限工作条件下性能稳定。
    4. 多用途适用性:支持多种开关电源拓扑结构,如主动钳位正激拓扑和主开关。

    应用案例和使用建议


    1. 开关模式电源(SMPS):WFP5N60 在高频切换条件下表现出色,非常适合用于 AC/DC 转换器中,能够有效降低开关损耗。
    2. 不间断电源(UPS):凭借其出色的瞬态响应能力,适合用于 UPS 的功率转换环节,确保供电的连续性和可靠性。
    3. 具体使用建议:在高电流和高频率应用中,需注意 PCB 布局以降低寄生电感,同时通过添加散热片改善热管理。

    兼容性和支持


    1. 兼容性:该器件采用标准 TO-220AB 封装,可轻松替换其他类似封装的产品。
    2. 技术支持:VBsemi 提供详细的规格书和应用指南,并设有服务热线(400-655-8788),随时解答用户的技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时温度过高的情况如何避免?
    解决方案:在应用中严格控制脉冲宽度(≤300μs),并限制占空比(≤2%)。

    2. 问题:门极电容对开关速度的影响如何优化?
    解决方案:选择合适的栅极电阻(Rg)以平衡开关速度与驱动功耗。

    总结和推荐


    WFP5N60 N-Channel Power MOSFET 凭借其低功耗、高效率以及优异的耐用性,在开关电源和高速功率转换场景中表现卓越。无论是作为主开关还是辅助开关元件,其性能都令人印象深刻。此外,VBsemi 提供的详尽技术文档和优质售后服务进一步提升了产品竞争力。因此,我们强烈推荐该产品用于需要高可靠性和高效能的应用场景。

    服务热线:400-655-8788
    了解更多关于 WFP5N60 的详细信息,请联系我们的技术支持团队。

WFP5N60-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Id-连续漏极电流 8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP5N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP5N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFP5N60-VB WFP5N60-VB数据手册

WFP5N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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