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K4106-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K4106-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4106-VB

K4106-VB概述

    K4106-VB N-Channel 650V Power MOSFET

    产品简介


    K4106-VB 是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。它具备低导通电阻(RDS(on))和极低的门极电荷(Qg),是电源管理和高效能电路的理想选择。主要应用包括服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯球)和工业设备。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.18Ω (25°C, VGS=10V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值 43nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 5nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 22nC
    - 最大连续漏电流 (ID): 12A (25°C), 9.4A (100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 未指定
    - 最大耗散功率 (PD): 未知,但热阻为60°C/W (RthJA)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 输入电容 (Ciss): 未指定
    - 输出电容 (Coss): 未指定
    - 反向转移电容 (Crss): 未指定
    - 开关时间参数 (td(on), tr, td(off), tf): 可调范围宽,适合不同应用场景

    产品特点和优势


    - 低图腾电阻 (FOM) Ron x Qg: 这使得该MOSFET能够在保持较低导通电阻的同时降低门极电荷,从而减少开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss): 有助于降低驱动损耗。
    - 减少开关和传导损失: 优化了工作频率下的效率。
    - 超低栅极电荷 (Qg): 降低了动态功耗,提高了速度。
    - 雪崩能量额定 (UIS): 确保了MOSFET在过压情况下的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 用于高压直流转换器中,减少整体能耗。
    - 开关模式电源 (SMPS): 特别适合高频操作,提高转换效率。
    - 荧光灯球: 作为球状光源的开关控制,确保稳定的光线输出。
    - 工业设备: 在电机驱动和电力变换中提供可靠的开关控制。
    使用建议:
    - 在设计中考虑到热管理需求,尤其是在高电流环境下。
    - 配合适当的驱动电路,确保门极电压稳定且充足。

    兼容性和支持


    - K4106-VB 设计上具有良好的兼容性,适用于广泛的电源管理系统。
    - 客户可以联系台湾VBsemi的客户服务热线(400-655-8788)获取更多技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:长时间高电流工作是否会损坏MOSFET?
    - 解:K4106-VB具有较高的额定电流和能量吸收能力,但如果持续运行超过额定电流,仍需进行额外的散热措施,例如加装散热片。
    2. 问:如何避免MOSFET过热?
    - 解:确保良好的散热设计,并根据手册提供的建议调整电路板布局,降低寄生电感。

    总结和推荐


    综上所述,K4106-VB N-Channel 650V Power MOSFET是一款出色的高性能MOSFET,适用于各种高功率应用,特别在要求高效能、低损耗的设计中表现优异。强烈推荐在需要高效率和稳定性的应用中使用这款产品。

K4106-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4106-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4106-VB数据手册

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K4106-VB封装设计

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