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GFP70N03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: GFP70N03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) GFP70N03-VB

GFP70N03-VB概述

    # GFP70N03-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    GFP70N03-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道30V(漏极-源极)MOSFET器件。它采用TrenchFET®工艺制造,具有高可靠性和低导通电阻的特点。适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等多种应用场景。
    主要功能
    - 低导通电阻:VGS = 10 V时,RDS(on) 为0.003 Ω;VGS = 4.5 V时,RDS(on) 为0.004 Ω。
    - 高电流承载能力:连续漏极电流ID可达120A。
    - 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 漏极电流 | ID | 120 | - | - | A |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | 0.003 | - | 0.004 | Ω |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 250 | - | W |
    | 热阻抗 | RthJA | 32 | - | 40 | °C/W |

    产品特点和优势


    GFP70N03-VB MOSFET 具有以下独特功能和优势:
    - 高效率:由于低导通电阻,能够显著降低损耗,提高系统整体效率。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证了产品的可靠性。
    - 兼容性强:符合RoHS指令,适用于多种应用场景。
    - 环境适应性好:工作温度范围宽广,适用于各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 服务器电源管理:用于高效管理服务器电源,提高系统稳定性。
    - DC/DC转换器:用于电力转换,实现高效稳定的电源输出。
    - OR-ing电路:提供可靠的电源切换功能,增强系统的可靠性。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,确保安全可靠运行。
    - 考虑到脉冲工作条件,建议进行适当的过温保护设计。

    兼容性和支持


    GFP70N03-VB MOSFET 与大多数标准插座兼容,便于安装。VBsemi公司提供了详细的技术文档和专业的技术支持,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下过热 | 加强散热设计,如使用散热片或风扇 |
    | 负载波动导致电流过大 | 添加电流限制电路,避免过流 |
    | 寿命短 | 定期检查并更换,确保使用环境适宜 |

    总结和推荐


    GFP70N03-VB MOSFET 具有出色的性能和高可靠性,特别适合需要高效、高稳定性的应用场景。其低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其在多种场合下表现优异。强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的应用开发者和工程师。

GFP70N03-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 120A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

GFP70N03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

GFP70N03-VB数据手册

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GFP70N03-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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交货地:
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