处理中...

首页  >  产品百科  >  K2373ZE-TL-E-VB

K2373ZE-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K2373ZE-TL-E-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2373ZE-TL-E-VB

K2373ZE-TL-E-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款采用沟槽工艺的功率MOSFET,具备低阈值电压、低输入电容和快速开关速度等特点。该产品适用于多种电路应用,特别是在逻辑接口、驱动电路和电池供电系统等领域表现出色。其主要功能包括高可靠性、高效率及易驱动性,特别适合用于TTL/CMOS逻辑电平接口、驱动继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等场合。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 最大漏极连续电流(TJ=150°C):250mA
    - 脉冲漏极电流(IDM):800mA
    - 功耗(TA=25°C):0.30W
    - 最大结到环境的热阻抗(RthJA):350°C/W
    - 工作结温和储存温度范围:-55°C 至 150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):1V 至 2.5V
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±10µA
    - 动态参数
    - 开启时间(td(on)):20ns
    - 关闭时间(td(off)):30ns
    - 总栅电荷(Qg):0.4nC 至 0.6nC
    - 输入电容(Ciss):25pF
    - 输出电容(Coss):5pF
    - 反向传输电容(Crss):2.0pF

    产品特点和优势


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 的显著特点包括:
    - 低阈值电压:典型值为2V,使器件更易于驱动,尤其适用于低电压操作。
    - 低输入电容:仅为25pF,有利于提高高频电路的响应速度。
    - 快速开关速度:典型的开启和关闭时间为20ns和30ns,适用于需要高速切换的应用场合。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,无卤素材料,具有良好的耐温性能。
    - 兼容性强:适用于广泛的驱动需求,如继电器、电磁阀、灯等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直接逻辑电平接口:此MOSFET适用于TTL/CMOS逻辑电平接口,提供高可靠性的逻辑信号传输。
    - 驱动继电器、电磁阀、灯等:由于其快速的开关速度和低导通电阻,可以高效地驱动各类执行器和负载。
    - 电池供电系统:在电池供电系统中,低功耗和高效率的优势使其成为理想选择。
    使用建议
    - 散热管理:在高电流应用中,应注意器件的散热问题,以防止过热损坏。
    - 驱动电路设计:为了确保稳定的开关性能,建议合理选择栅极电阻,并优化驱动电路设计。
    - 环境适应性:在极端环境下使用时,注意器件的工作温度范围,以避免超过额定工作条件。

    兼容性和支持


    该MOSFET支持广泛的应用场景,且具有良好的电气兼容性。厂商提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南、故障排查文档和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温下器件性能下降?
    - 解决办法: 确保良好的散热设计,使用散热片或其他冷却装置。
    - 问题: 栅极驱动不稳定?
    - 解决办法: 选择合适的栅极电阻并优化驱动电路设计,确保栅极电压稳定。
    - 问题: 开关过程中出现振铃现象?
    - 解决办法: 使用适当的旁路电容和缓冲电路来减小振铃效应。

    总结和推荐


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 在众多应用中展现了卓越的性能,尤其在逻辑电平接口、驱动电路和电池供电系统方面表现突出。其低功耗、快速开关速度和高可靠性使其成为工程师们值得信赖的选择。我们强烈推荐使用这款产品,特别是对于需要高性能和高可靠性的应用场合。

K2373ZE-TL-E-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 300mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2373ZE-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2373ZE-TL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2373ZE-TL-E-VB K2373ZE-TL-E-VB数据手册

K2373ZE-TL-E-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
库存: 400000
起订量: 140 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:140
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831