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UK4145L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: UK4145L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK4145L-TA3-T-VB

UK4145L-TA3-T-VB概述

    # UK4145L-TA3-T N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UK4145L-TA3-T 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(场效应晶体管)。该器件具有极高的耐用性,可承受高达 175°C 的结温,适用于恶劣的工作环境。它采用先进的 TrenchFET® 技术,提供卓越的开关性能和低导通电阻。广泛应用于电源管理、电机控制、电池管理系统及各类驱动电路中。
    主要功能:
    - 支持高结温运行(最高 175°C)。
    - 低导通电阻(RDS(on))以减少功耗。
    - 高速开关性能,适合高频应用。
    - 采用 TO-220AB 封装形式,易于安装。
    应用领域:
    - 开关电源。
    - DC-DC 转换器。
    - LED 驱动器。
    - 马达驱动电路。

    技术参数


    以下为 UK4145L-TA3-T 的关键性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | 60 | V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 120 | - | 120 | A |
    | 最大栅漏电 | IGSS | -100 | - | +100 | nA |
    | 导通电阻 @ 10V | RDS(on) | 5 | 10 | 15 | mΩ |
    | 转导系数 | gfs | - | 60 | - | S |

    产品特点和优势


    独特功能:
    1. TrenchFET® 技术:实现更低的导通电阻和更高的效率。
    2. 高可靠性设计:支持高达 175°C 的结温,适用于极端温度条件。
    3. 低热阻:优秀的散热能力,减少因高温导致的失效风险。
    市场竞争力:
    - 出色的性价比,适用于多种工业和消费级应用。
    - 小巧的封装尺寸便于 PCB 布局设计。
    - 高抗干扰能力,适应复杂电磁环境。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    1. LED 驱动电路:通过其快速开关特性降低功耗并提高效率。
    2. 电机驱动模块:适合需要频繁启停的场合,如风扇、泵等。
    3. 光伏逆变器:高效的能量转换效率有助于提升整体系统性能。
    使用建议:
    - 确保驱动电路的设计符合最大漏极电流的要求,避免过载。
    - 在高温环境下工作时,需注意外部散热措施,防止结温过高。
    - 使用合适的驱动电阻(Rg),优化开关速度和能耗。

    兼容性和支持


    UK4145L-TA3-T 与标准 TO-220AB 封装的器件具有良好的互换性,方便替换现有设计中的同类产品。VBsemi 提供全面的技术支持服务,包括样品申请、技术文档下载及售后维修。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常升高 | 检查工作电压是否达到额定值(>10V)。|
    | 开关速度缓慢 | 确认驱动电阻(Rg)是否合理匹配。 |
    | 温度上升过快 | 加强散热措施,如加装散热片或风扇。|

    总结和推荐


    综合评估:
    UK4145L-TA3-T 是一款性能优异、用途广泛的 N 沟道 MOSFET,特别适合对高温环境和高效能要求较高的场景。凭借其 TrenchFET® 技术和高可靠性设计,成为许多电子工程师的理想选择。
    推荐意见:
    强烈推荐此款 MOSFET 用于需要高性能和高可靠性的应用场合,尤其是在工业自动化、绿色能源等领域。同时,建议用户根据具体需求进行详细测试验证,确保最佳效果。
    联系 VBsemi 客户服务热线 400-655-8788 获取更多支持信息!

UK4145L-TA3-T-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 120A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UK4145L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK4145L-TA3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UK4145L-TA3-T-VB UK4145L-TA3-T-VB数据手册

UK4145L-TA3-T-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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