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F630B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
供应商型号: F630B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F630B-VB

F630B-VB概述

    F630B-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    F630B-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,专为在极端温度和高可靠性需求的应用环境中提供卓越表现而设计。此产品具有广泛的应用范围,如电源管理和转换电路,可以作为初级侧开关,特别适用于工业自动化、电力电子设备和汽车电子产品等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏极-源极电压(VDS):200 V
    - 最大功率耗散(PD):121 W(TJ = 25°C),随温度上升而降低
    - 最高结温(TJ):175°C
    - 储存温度范围(Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻(RthJA):15°C/W(稳态)
    - 典型工作参数:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时,RDS(on) = 0.270 Ω(TJ = 25°C)
    - 临界栅极阈值电压(VGS(th)):2 V 至 4 V
    - 开启状态漏极电流(ID(on)):在 VDS = 5 V,VGS = 10 V 时,ID(on) = 40 A

    产品特点和优势


    - 高耐温性:175°C 的结温使其能够承受严苛的环境条件。
    - PWM 优化:针对脉冲宽度调制进行了优化,适用于高频应用。
    - 100% 额定栅极电阻测试:确保每个组件均经过严格的栅极电阻测试。
    - RoHS 符合性:符合 RoHS 指令,环保可靠。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:F630B-VB 适用于高频开关电源,尤其是那些需要在高温环境下运行的系统。
    - 电机驱动:由于其优秀的热稳定性,它也是电机控制应用的理想选择。
    - 太阳能逆变器:在高功率密度的应用中,这款 MOSFET 能够提供可靠的开关性能。
    使用建议:
    - 在进行 PCB 布局时,应注意散热设计,以确保长时间工作下的可靠性。
    - 使用高热导率材料作为散热器,以降低结温。

    兼容性和支持


    - 兼容性:F630B-VB 采用 TO-220AB 封装,可以方便地与现有的模块和其他设备兼容。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可以通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问:如何避免过热?
    - 答:正确布置散热片并考虑 PCB 散热路径的设计。增加散热片面积或使用导热性能更好的材料。

    - 问:栅极驱动电压选择不当会有什么影响?
    - 答:过低的栅极电压会导致漏极电流不足,过高则可能导致击穿。应严格遵循技术手册中规定的 VGS 范围。

    总结和推荐


    总体而言,F630B-VB MOSFET 在高温稳定性和高可靠性方面表现出色,适合应用于工业和汽车电子等领域。它的耐用性和多功能性使其成为许多高要求应用的首选。强烈推荐此产品给寻求高性能、高稳定性的客户。
    如果您正在寻找一款能够在恶劣环境中提供稳定性能的 MOSFET,F630B-VB 绝对是一个值得考虑的选择。

F630B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,310mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F630B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F630B-VB数据手册

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F630B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
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型号 价格(含增值税)
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