处理中...

首页  >  产品百科  >  IRL7833SPBF-VB

IRL7833SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:TO263适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和太阳能逆变器等领域。
供应商型号: IRL7833SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL7833SPBF-VB

IRL7833SPBF-VB概述


    产品简介


    IRL7833SPBF N-Channel MOSFET
    产品类型:N沟道功率MOSFET
    主要功能:主要用于电源管理电路中的开关应用,如OR-ing电路、服务器和DC/DC转换器
    应用领域:适用于服务器、电源管理系统、通信设备等领域,是高可靠性应用的理想选择

    技术参数


    - 最大耐压:VDS = 30 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C 时:ID = 150 A
    - TC = 70 °C 时:ID = 120 A
    - TA = 25 °C 时:ID = 35.8 A
    - TA = 70 °C 时:ID = 27 A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 39 A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 94.8 mJ
    - 持续源漏二极管电流:
    - TC = 25 °C 时:IS = 90 A
    - TA = 25 °C 时:IS = 3.13 A
    - 最大功耗:
    - TC = 25 °C 时:PD = 250 W
    - TC = 70 °C 时:PD = 175 W
    - TA = 25 °C 时:PD = 3.75 W
    - TA = 70 °C 时:PD = 2.63 W
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻(t ≤ 10 秒):RthJA = 32 °C/W
    - 最大结到外壳稳态热阻:RthJC = 0.5 °C/W
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压:VGS = ±20 V
    - 漏源电压:VDS = 30 V

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证,符合RoHS标准,确保产品在恶劣环境下的可靠运行。
    2. 高性能:极低的导通电阻(RDS(on)),最高仅0.0023 Ω (VGS=10V, ID=38.8A),使得该器件在大电流应用中表现出色。
    3. 温度稳定性:温度系数小,保证在宽温范围内依然保持稳定的性能表现。
    4. 高效能:低输入电容(Ciss),降低开关损耗,提高整体效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:该器件广泛应用于服务器电源管理系统,尤其是在需要高效率和稳定性的应用场景中。例如,在一个服务器的电源管理系统中,它被用于实现高效的直流到直流转换,提升整体系统的稳定性和效率。
    使用建议:在设计电源系统时,需要特别注意散热设计以充分利用其高功率密度。建议采用良好的散热材料,如铝基板,并结合适当的散热片和风扇来保证器件工作在适宜的温度范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与现有的服务器主板设计兼容,可以无缝集成到现有的硬件平台中。
    - 支持:厂商提供详细的技术支持和售后服务,包括技术文档、样品测试和定制化解决方案,帮助客户快速集成和优化系统。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热损坏
    - 解决方案:增加散热措施,如添加散热片和风扇,确保器件工作温度不超限。

    2. 问题:系统效率低下
    - 解决方案:检查系统设计是否合理,适当调整电路参数,利用更高效的电源管理方案。

    总结和推荐


    总结:IRL7833SPBF N-Channel MOSFET以其出色的性能、高可靠性和广泛的适用性成为一款值得推荐的产品。在需要高效能和高可靠性的应用中,它可以为设计师提供更多灵活性和便利性。
    推荐:强烈推荐给从事电源管理和控制领域的工程师,特别是在需要高性能、高效率和高可靠性的服务器电源系统中使用。

IRL7833SPBF-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 180A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL7833SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL7833SPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL7833SPBF-VB IRL7833SPBF-VB数据手册

IRL7833SPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831