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NDD03N60Z-1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: NDD03N60Z-1G-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDD03N60Z-1G-VB

NDD03N60Z-1G-VB概述

    NDD03N60Z-1G N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NDD03N60Z-1G 是一款高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、照明控制等领域。其低导通电阻和高耐压特性使其成为电力电子应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ± 30 V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 1.28 A(\( V{GS} \) = 10 V,\( TC \) = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 8 A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 45 W(\( TC \) = 25 °C)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650 V(\( V{GS} \) = 0 V,\( ID \) = 250 µA)
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 - 4.0 V(\( V{DS} \) = \( V{GS} \),\( ID \) = 250 µA)
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): ± 100 nA(\( V{GS} \) = ± 30 V)
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 25 µA(\( V{DS} \) = 650 V,\( V{GS} \) = 0 V)
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 417 pF(\( V{GS} \) = 0 V,\( V{DS} \) = 25 V,\( f \) = 1.0 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 45 pF
    - 有效输出电容 \( C{oss\,eff.} \): -(\( V{DS} \) = 0 V 到 520 V)
    - 其他
    - 重复脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 165 mJ
    - 最大结壳热阻 \( R{thJC} \): 2.1 °C/W
    - 热阻抗 \( R{thJA} \): 65 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅电荷: NDD03N60Z-1G 的低栅电荷导致简单的驱动需求,降低了系统复杂度。
    - 增强的栅极和雪崩坚固性: 改进了栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 坚固性,确保更高的可靠性。
    - 全面表征: 完全表征的电容和雪崩电压、电流特性,确保在不同条件下的稳定性能。
    - 符合 RoHS: 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,环保无害。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关电源: 在高压转换器中,NDD03N60Z-1G 可以提供高效的能量转换。
    - 电机驱动: 适用于需要高电流驱动的电机控制系统。
    - 照明控制: 在 LED 驱动电路中,可以实现精确的电流调节。
    - 使用建议:
    - 在设计时注意散热问题,特别是在高温环境下。
    - 使用低杂散电感布局,避免寄生电感对性能的影响。
    - 采用接地平面设计,减少噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NDD03N60Z-1G 可与市场上主流的驱动器和控制器兼容,适用于各种电路设计。
    - 支持: VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,客户可以在遇到问题时联系他们的客户服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 如何优化 MOSFET 的热管理?
    - 解决方案: 采用有效的散热设计,如散热片和风扇,保持结温低于最大额定值。
    - 问题: 如何提高开关频率?
    - 解决方案: 使用低电容 MOSFET,减少开关损耗。确保驱动器具有足够的带宽来驱动 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    NDD03N60Z-1G N-Channel MOSFET 具备低栅电荷、高可靠性、全面表征等特点,适用于多种电力电子应用。其出色的性能和广泛的兼容性使其成为设计工程师的首选。强烈推荐在高压和大电流应用场景中使用此产品。

NDD03N60Z-1G-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDD03N60Z-1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDD03N60Z-1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDD03N60Z-1G-VB NDD03N60Z-1G-VB数据手册

NDD03N60Z-1G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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