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IRFZ34GPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: IRFZ34GPBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ34GPBF-VB

IRFZ34GPBF-VB概述

    IRFZ34GPBF-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFZ34GPBF-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 MOSFET,额定电压为 60V,具有表面贴装(Surface Mount)特性,封装形式为 TO-220AB。该器件广泛应用于各种电力电子系统中,如开关电源、马达驱动和电池管理等场合,因其高可靠性和高效能而备受青睐。

    技术参数


    1. 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 60V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID): 在 25°C 下可达 50A,在 100°C 下可达 36A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 最大值为 200A
    - 最大功率耗散 (PD): 150W(空气对流散热),3.7W(印刷电路板安装)
    - 栅极驱动输入电容 (Ciss): 190pF
    2. 静态特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.024Ω(VGS = 10V 时)
    - 零栅压漏电流 (IDSS): VDS = 60V,VGS = 0V 时 <25μA
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0V ~ 2.5V
    3. 动态特性
    - 上升时间 (tr): 最大值 230ns
    - 下降时间 (tf): 最大值 110ns
    - 栅极电荷 (Qg): 最大值 66nC
    - 体二极管反向恢复时间 (trr): 最大值 180ns
    4. 工作温度范围
    - 工作结温 (TJ): -55°C 到 +175°C

    产品特点和优势


    - 绿色环保:符合RoHS指令2002/95/EC 和IEC 61249-2-21标准,不含卤素,确保无害化生产。
    - 逻辑电平栅极驱动:便于直接与微控制器或其他逻辑电路接口连接。
    - 快速开关特性:出色的开关性能,适用于高频和高速应用场合。
    - 热性能优异:高可靠性和热稳定性,确保长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用:IRFZ34GPBF-VB 广泛应用于开关电源和电机驱动电路。例如,在开关电源中作为主控开关管,可以有效降低损耗,提高转换效率。
    - 使用建议:为了充分发挥其性能,建议采用合理的 PCB 布局,减小寄生电感,利用大面积的接地平面,以优化散热并减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品设计用于表面贴装,可以方便地集成到现有的 PCB 设计中。兼容大多数标准的 SMT 生产线。
    - 支持和服务:VBsemi 提供详尽的技术支持文档,并设有服务热线(400-655-8788)随时解答用户疑问。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作时,器件温度异常升高。
    - 解决方案:检查散热片的设计,增加散热面积或改善空气流通。
    2. 问题:启动过程中出现过电流。
    - 解决方案:调整驱动电路的电阻值,避免过大的电流冲击。
    3. 问题:栅极驱动信号不稳定。
    - 解决方案:检查 PCB 布局,确保栅极引线的长度适中,减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    IRFZ34GPBF-VB N-Channel MOSFET凭借其高效的开关性能、可靠的耐温特性及优异的绿色环保属性,是电力电子系统的理想选择。无论是在电源管理还是电机控制应用中,这款器件都能提供卓越的表现。强烈推荐用户根据具体需求进行评估和选型,确保达到最佳效果。
    综上所述,IRFZ34GPBF-VB 是一款值得信赖且高效的电力电子解决方案,值得在各类应用中选用。

IRFZ34GPBF-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFZ34GPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ34GPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFZ34GPBF-VB IRFZ34GPBF-VB数据手册

IRFZ34GPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5757
100+ ¥ 1.459
500+ ¥ 1.4006
1000+ ¥ 1.3423
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型号 价格(含增值税)
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