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TSM4426CS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: TSM4426CS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM4426CS-VB

TSM4426CS-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    这款N沟道30伏特(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是专为高侧同步整流操作优化设计的产品。它采用TrenchFET®技术制造,具有多种优良特性,适用于笔记本电脑CPU核心等高要求的应用领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: 13 A
    - TC = 70°C: 7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 45 A
    - 漏极-源极体二极管最大连续电流 (IS): 3.7 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 20 A
    - 雪崩能量 (EAS): 21 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 4.1 W
    - 工作结温范围: -55°C 至 150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 V 至 3.0 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 正常工作时的漏极电流 (ID(on)): 20 A
    - 导通状态下漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 10 A: 0.008 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 9 A: 0.011 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 800 pF
    - 输出电容 (Coss): 165 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 73 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 10 A: 15 nC 至 23 nC
    - VDS = 15 V, VGS = 5 V, ID = 10 A: 6.8 nC 至 10.2 nC

    产品特点和优势


    1. Halogen-Free: 无卤素材料,环保且符合RoHS标准。
    2. TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的TrenchFET®技术,提供卓越的性能和可靠性。
    3. Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation: 专为高侧同步整流操作优化设计,适用于笔记本电脑CPU核心等高要求应用。
    4. 100% Rg and UIS Tested: 所有产品经过100%栅极电阻测试和雪崩能力测试,确保可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品广泛应用于笔记本电脑CPU核心,主要用于高侧开关电路。其高可靠性使其成为许多高性能计算和消费电子设备的理想选择。
    使用建议
    为了充分发挥其性能,建议:
    - 在使用时注意散热,避免过热。
    - 确保栅极驱动信号的稳定,避免信号失真导致器件损坏。
    - 根据具体应用场景,调整合适的栅极电阻值以达到最佳效果。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可与其他标准的SO-8封装的MOSFET器件兼容。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中得到充分支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断该器件是否适合用于高温环境下?
    - 解决方案:查阅数据手册中的绝对最大额定值,特别是工作结温范围(-55°C 至 150°C)。如果应用环境温度接近或超过该范围,则需采取额外的散热措施。
    - 问题2:如何测量栅极电阻 (Rg)?
    - 解决方案:可以使用数字万用表在栅极和源极之间进行测量,或者参考制造商提供的应用指南进行详细测量和校准。

    总结和推荐


    总体而言,TSM4426CS N-Channel 30-V MOSFET是一款功能强大且可靠的电子元器件,特别适用于高侧开关应用,具备出色的性能和可靠性。考虑到其独特的功能特点和市场竞争力,我们强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用场景中使用该产品。

TSM4426CS-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 15V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 11A
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TSM4426CS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM4426CS-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TSM4426CS-VB TSM4426CS-VB数据手册

TSM4426CS-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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