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IRF7474TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF7474TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7474TRPBF-VB

IRF7474TRPBF-VB概述

    N-Channel 100 V MOSFET IRF7474TRPBF 技术手册概述

    产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一款适用于多种电子应用的高效能半导体器件。该器件的主要功能是作为开关,在电源转换电路中充当主侧开关。此款MOSFET具有非常低的Qgd(栅源电荷),从而显著降低开关损耗,提高系统效率。其广泛应用于开关电源、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \) : 100 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \) : ± 20 V
    - 连续漏极电流 ( \( TJ = 150 °C \) ):在不同温度下的额定电流分别为9 A、6 A、5 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \) :40 A
    - 最大功率耗散 \( PD \) :在不同温度下分别为14 W、5 W、4 W
    - 热阻:\( R{thJA} \) 最大为40 °C/W
    - 典型电气特性:
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \) : 100 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \) : 1.0~3.0 V
    - 导通状态电阻 \( R{DS(on)} \) ( \( V{GS} = 10 V \) ):0.032 Ω
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \) :1900 pF ( \( V{DS} = 50 V \), \( V{GS} = 0 V \), \( f = 1 MHz \) )
    - 输出电容 \( C{oss} \) :150 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \) :28.5~43 nC ( \( V{DS} = 75 V \), \( V{GS} = 10 V \), \( ID = 5 A \) )

    产品特点和优势


    IRF7474TRPBF 具有以下独特功能和优势:
    - 极低的Qgd使得其在高频开关应用中表现优异。
    - 通过了100%的Rg测试和100%的雪崩测试,确保产品的高可靠性。
    - 符合RoHS指令(2002/95/EC)和无卤标准(IEC 61249-2-21)。
    - 极低的热阻(最高为40°C/W),有助于散热和提高长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    IRF7474TRPBF 可广泛应用于电源管理电路中作为主侧开关。例如,在AC-DC转换器中,这款MOSFET能够有效降低开关损耗,提高转换效率。对于需要高频率工作的场合,这款MOSFET是理想的选择。
    使用建议:
    - 在设计中需考虑MOSFET的散热需求,以保证其长期稳定运行。
    - 选择合适的驱动电路,确保栅极信号的有效传输,以充分发挥MOSFET的性能。

    兼容性和支持


    IRF7474TRPBF 尺寸符合SO-8封装标准,易于与市面上其他支持该封装的电子元件兼容。此外,VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品规格书和技术文档下载,以及技术支持热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品在高温环境下性能下降?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,可以使用外部散热片或者风扇来降低温度。
    - 问题:开启延迟时间过长?
    - 解决方案:调整栅极驱动电阻(Rg),优化驱动电路。

    总结和推荐


    IRF7474TRPBF N-Channel 100 V MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别是在高频开关电源应用中表现尤为突出。其极低的Qgd和优越的电气特性使其成为许多高性能应用的理想选择。建议在电源管理和开关电源设计中优先考虑使用此产品。
    总体来说,IRF7474TRPBF MOSFET 是一个值得信赖的高性能组件,推荐在各种高压电源应用中使用。

IRF7474TRPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7474TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7474TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7474TRPBF-VB IRF7474TRPBF-VB数据手册

IRF7474TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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