处理中...

首页  >  产品百科  >  FK14KM-9-VB

FK14KM-9-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: FK14KM-9-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FK14KM-9-VB

FK14KM-9-VB概述

    N-Channel 550V Power MOSFET FK14KM-9-VB 技术手册

    产品简介


    FK14KM-9-VB 是一款适用于多种应用的 N-Channel 550V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品因其低电阻率、高效率和快速开关特性而被广泛应用于消费电子、服务器和电信电源供应、工业设备以及电池充电器等领域。它特别适合于需要高效率转换的系统,如液晶显示器 (LCD) 和等离子电视 (Plasma TV),以及电力因数校正 (Power Factor Correction, PFC) 等场合。

    技术参数


    以下是该 MOSFET 的关键技术和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS): 550V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在 25°C 下为 0.26Ω
    - 最大输入电荷 (Qg): 150nC
    - 最大输出电容 (Coss): 152pF
    - 栅极电荷 (Qg): 最大值为 150nC
    - 连续漏极电流 (ID): 在 TJ = 150°C 下为 11A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 56A
    - 雪崩能量 (EAS): 281mJ
    - 工作温度范围: TJ, Tstg = -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 优化设计: 低面积特定导通电阻,低输入电容 (Ciss),减少电容切换损耗。
    - 增强体二极管坚固性: 能够承受高重复冲击电流,增强可靠性。
    - 高效率和操作: 零成本门驱动电路,低优值系数 (Ron x Qg),快速开关能力。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 广泛应用于消费电子产品(如 LCD 和等离子电视)、服务器和电信电源供应、工业设备(如焊接、感应加热和电机驱动)以及电池充电器等领域。以下是一些建议:
    - 功率转换: 在高功率密度系统中,确保良好的散热设计以保持较低的温度。
    - 电源管理: 采用适当的门驱动电路以优化性能并减少损耗。
    - 保护措施: 使用外部保护电路来防止过电压和过电流。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,能够与其他标准 MOSFET 设备配合使用。厂商提供了详细的使用指南和技术支持,以帮助用户实现最佳性能。此外,用户可以通过公司提供的服务热线 (400-655-8788) 获取进一步的支持和服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何提高 MOSFET 的使用寿命?
    - A: 确保使用适当的散热措施,如安装散热片或风扇,并避免长时间处于高温环境下运行。

    2. Q: 为何 MOSFET 的导通电阻增加?
    - A: 检查工作温度是否超过额定值,并确保正确的栅极驱动信号以保持低导通电阻。

    3. Q: 如何优化 MOSFET 的开关速度?
    - A: 减少栅极电阻,使用合适的门驱动电路,并确保适当的门电荷。

    总结和推荐


    总体而言,FK14KM-9-VB N-Channel 550V MOSFET 以其卓越的性能和广泛的适用性在市场上脱颖而出。其优化的设计、高效的操作和良好的兼容性使其成为各种高要求应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品给需要高效率、可靠性和稳定性的客户。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

FK14KM-9-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 550V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FK14KM-9-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FK14KM-9-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FK14KM-9-VB FK14KM-9-VB数据手册

FK14KM-9-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 116.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336