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WNM2155-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
供应商型号: WNM2155-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WNM2155-VB

WNM2155-VB概述


    产品简介


    WNM2155:双N沟道20V(D-S)功率MOSFET
    WNM2155 是一款高性能的双N沟道20V功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。该器件采用先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力等特点,能够满足各种严苛的工作环境要求。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±12V
    - 绝对最大功率耗散 (PD):
    - TA = 25°C: 2W
    - TA = 70°C: 1.3W
    - 最大工作温度范围: -55°C 到 150°C
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25°C: 7.1A
    - TA = 70°C: 5.7A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 40A
    - 连续源电流 (IS): 1.7A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5V, ID = 7.1A: 0.019Ω
    - VGS = 2.5V, ID = 6.0A: 0.026Ω
    - 热阻参数:
    - 最大结壳热阻 (RthJA): 62.5°C/W
    - 其他参数:
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):
    - VDS = 20V, VGS = 0V: 1µA
    - 前向传输电导 (gfs): 27S
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.2V

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.019Ω(在4.5V下),确保在大电流应用中的高效能。
    - 高可靠性:100% Rg测试,符合RoHS指令2002/95/EC标准。
    - 环保材料:无卤素,符合IEC 61249-2-21定义。
    - 宽工作温度范围:支持-55°C到150°C的工作温度范围。
    - 高可靠性设计:适用于多种严苛的工作环境,适合长期使用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理系统:用于电池充电器、开关电源等场合。
    - 电机驱动:适用于工业电机、电动工具等需要大电流控制的应用。
    - 工业控制:可用于PLC、传感器等工业控制系统中。
    - 使用建议:
    - 确保电路板为FR4材质,并且焊接时间不超过10秒,以保证焊点的可靠性和器件的稳定性。
    - 在选择驱动电路时,应考虑器件的门极电荷(Qg)特性,以便实现快速的开关转换。
    - 考虑到高温环境下器件的散热需求,建议采用良好的散热设计,如增加散热片或采用强制风冷措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WNM2155 MOSFET可与大多数常用的电源管理和控制电路兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详尽的技术文档、样品请求、以及售后咨询,服务热线为400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温度环境下工作不稳定
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或者使用风扇强制冷却。确保散热设计符合器件的最大工作温度限制。
    2. 问题:电路过载导致器件损坏
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,确保负载电流不超过器件的额定值。如果需要更高的电流,考虑并联多个器件。
    3. 问题:焊接后器件引脚短路
    - 解决方案:检查焊接工艺,确保焊点质量良好。必要时可使用显微镜检查,确保没有锡渣残留。

    总结和推荐


    综上所述,WNM2155 MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性及宽工作温度范围等特点,在电源管理和电机驱动领域表现出色。其优良的性能和广泛的适用性使其成为同类产品中的佼佼者。因此,对于需要高性能、稳定可靠的功率控制器件的应用,WNM2155是一个理想的选择。

WNM2155-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WNM2155-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WNM2155-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WNM2155-VB WNM2155-VB数据手册

WNM2155-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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