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HAT2200RJ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: HAT2200RJ-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HAT2200RJ-VB

HAT2200RJ-VB概述

    HAT2200RJ N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    HAT2200RJ 是一款适用于电力转换和控制应用的 N-沟道 MOSFET。其额定电压为 100V(漏极-源极),主要功能是作为开关元件。它广泛应用于电源管理、逆变器和其他需要高效、低损耗开关的应用场合。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏极-源极电压(VDS):100V
    - 门极-源极电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):9A(TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):40A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):30A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):112mJ
    - 最大功率耗散(PD):14W(TC = 25°C)
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻(RthJA):33°C/W(最大值)
    - 最大结到脚(漏极)稳态热阻(RthJF):17°C/W
    - 静态特性
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):100V
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):0.032Ω(VGS = 10V,ID = 5A)
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):1900pF(VDS = 50V,VGS = 0V,f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):150pF
    - 反向转移电容(Crss):50pF
    - 总栅极电荷(Qg):28.5nC(VDS = 75V,VGS = 10V,ID = 5A)

    产品特点和优势


    HAT2200RJ 的主要特点是具有极低的 Qgd(栅极-漏极电荷),这有助于减少开关损耗。此外,它经过 100% Rg 和 100% 雪崩测试,确保了其可靠性和稳定性。产品还符合 RoHS 和无卤素标准,使其在环保和合规性方面表现出色。

    应用案例和使用建议


    HAT2200RJ 主要用于电源转换电路中的主侧开关。例如,在直流-直流转换器中,它可以作为关键的开关元件来实现高效的能源转换。在使用过程中,应注意保持器件的工作温度在规定范围内,以避免过热损坏。同时,由于其高阈值电压和低导通电阻,它适用于需要快速开关的应用。

    兼容性和支持


    HAT2200RJ 采用 SO-8 封装,可以方便地与其他标准封装的元件焊接在一起。厂商提供技术支持和服务热线(400-655-8788),以帮助用户解决任何使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流条件下,器件发热严重。
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热片或增加空气流通。
    - 问题2:启动时延迟时间较长。
    - 解决办法:检查门极驱动电路,确保驱动信号强度足够。

    总结和推荐


    总体而言,HAT2200RJ 是一款非常适合于各种电力转换应用的 N-沟道 MOSFET。它的低损耗特性、可靠的测试认证和环保材料使其在市场上具备很强的竞争优势。对于需要高效能和稳定性的设计项目,强烈推荐使用 HAT2200RJ。

HAT2200RJ-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 9A
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HAT2200RJ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HAT2200RJ-VB数据手册

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HAT2200RJ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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