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NDS8330-NL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8\n生产的单路功率型沟道型MOSFET,适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。
供应商型号: NDS8330-NL-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDS8330-NL-VB

NDS8330-NL-VB概述

    NDS8330-NL P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型: P-Channel MOSFET(P沟道功率场效应晶体管)
    主要功能:
    - 高效率开关
    - 用于电池管理和负载切换
    - 具备静电放电保护功能
    应用领域:
    - 便携式设备
    - 负载开关
    - 电池开关
    - 充电器开关

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | -20 | V |
    | 最大栅源电压 (VGS) | ±12 | V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 20 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM)| 50 | A |
    | 最大栅泄漏电流 (IGSS)| ±20 | μA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.015 至 0.040 | Ω |
    | 零栅电压漏极电流 (IDSS) | -1 至 -10 | mA |
    | 峰值功率耗散 (PD) | 19 (TC=25°C) | W |
    工作环境:
    - 结温范围 (TJ, Tstg): -55至150°C
    - 焊接温度 (Soldering Temperature): 260°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 典型值为0.015Ω,确保高效率运行。
    - TrenchFET®技术: 提升了整体性能,减小了体积。
    - 100% Rg测试: 确保每个产品的可靠性。
    - 内置静电放电保护: 使用Zener二极管,保护电路免受静电损伤。
    - 卤素无污染: 符合IEC 61249-2-21标准,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关: 在电池供电的设备中,可以有效地控制电源供应。
    - 电池开关: 可以用于笔记本电脑和其他便携设备的电池管理系统。
    - 充电器开关: 控制充电器的工作状态,提高效率。
    使用建议:
    - 在设计负载开关时,建议使用高阻值栅电阻(Rg),以避免干扰。
    - 在高频应用中,建议增加散热措施以提高散热效率。
    - 尽量避免在峰值温度下长时间工作,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品采用SO-8封装,广泛应用于各种便携设备。
    - 可与其他兼容的MOSFET和控制器配合使用。
    支持:
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括焊接建议和热管理指南。
    - 提供详细的故障排查流程和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 检查VGS是否超出最大值 |
    | 温度过高 | 添加散热片或优化散热设计 |
    | 开关时间不一致 | 确保栅电阻值的一致性 |
    | 电源纹波过大 | 增加滤波电容以减少噪声 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: 低导通电阻、高效的TrenchFET技术、内置静电保护和良好的兼容性。
    - 适用场景: 适用于电池供电的便携式设备,如笔记本电脑、手机和其他便携设备。
    - 推荐度: 高度推荐。对于需要高效率和可靠性的应用,该产品是一个理想的选择。
    通过上述分析可以看出,NDS8330-NL P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,非常适合在多种应用场景中使用。

NDS8330-NL-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 15V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8A
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NDS8330-NL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDS8330-NL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDS8330-NL-VB NDS8330-NL-VB数据手册

NDS8330-NL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.2635
100+ ¥ 1.1699
500+ ¥ 1.1231
4000+ ¥ 1.0763
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