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K2618ALS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2618ALS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2618ALS-VB

K2618ALS-VB概述

    K2618ALS Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2618ALS 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡照明)。它还适用于工业领域的各种高可靠性应用。这款 MOSFET 具有较低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关性能,能够显著减少电路中的损耗。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS):最大 650 V,在 TJ max 条件下为 750 V。
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值为 1 Ω(VGS = 10 V)。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 16 nC。
    - 输入电容 (Ciss):最大值为 1000 pF。
    - 输出电容 (Coss):未提供具体数值。
    - 雪崩耐受能力 (UIS):最大单脉冲雪崩能量为 97 mJ。
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):650 V。
    - 栅源电压 (VGS):±30 V。
    - 连续漏极电流 (ID):在 TC = 25 °C 时为 150 A,在 TJ = 150 °C 时为 100 A。
    - 热阻抗:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA):63 °C/W。
    - 最大结至外壳(漏极)热阻 (RthJC):0.6 °C/W。
    - 封装类型:TO-220 FULLPAK。

    产品特点和优势


    - 低电阻:具有非常低的导通电阻 (RDS(on)),显著降低能耗。
    - 低输入电容:Ciss 最大值仅为 1000 pF,有助于提高开关速度。
    - 低损耗:通过降低切换损耗和传导损耗来提高效率。
    - 高可靠性:支持高达 97 mJ 的单脉冲雪崩能量,提高了产品的可靠性和稳定性。
    - 低栅极电荷:栅极电荷 (Qg) 仅为 16 nC,有助于进一步减少开关损耗。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:在这种应用场景下,K2618ALS 可以作为开关调节器的关键组件,用于转换和稳压高电压直流电。
    - 工业应用:在工业环境中,它可以用于驱动电机和其他负载,特别是在需要高可靠性的场合。
    - 照明系统:无论是 HID 灯还是荧光灯,K2618ALS 都可以提供稳定高效的驱动。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意散热管理,确保散热片的安装正确且有效。
    - 为了确保最佳性能,建议根据具体的应用需求选择合适的栅极驱动器,并进行适当的栅极电阻选择。
    - 在设计电路时,应考虑栅极电荷对系统的影响,选择适合的驱动电路来优化整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K2618ALS 具有标准的 TO-220 FULLPAK 封装,易于与其他同类器件互换使用。
    - 支持和维护:VBsemi 提供全面的技术支持和保修服务,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下的性能下降:可以通过使用更大面积的散热片来改善,或者在电路设计中加入更好的散热管理措施。
    2. 过高的栅极电荷导致的问题:选择更有效的驱动电路,并合理设置栅极电阻以减少栅极电荷的影响。
    3. 反向恢复问题:可以通过优化电路布局和选择低反向恢复电流的二极管来减轻。

    总结和推荐


    K2618ALS 功率 MOSFET 在多个关键参数上表现出色,特别是其低电阻和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。其广泛的应用范围和卓越的性能使其成为服务器、电信、工业和照明系统的优选器件。建议在设计和应用过程中仔细考虑散热管理和电路布局,以充分发挥其性能潜力。
    综上所述,K2618ALS 是一个值得推荐的产品,尤其适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

K2618ALS-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2618ALS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2618ALS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2618ALS-VB K2618ALS-VB数据手册

K2618ALS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
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