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K2002-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K2002-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2002-01MR-VB

K2002-01MR-VB概述


    产品简介


    K2002-01MR-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它适用于广泛的电力转换和控制应用,如电机驱动、开关电源和逆变器等。这款MOSFET具有低门极电荷和改进的门极、雪崩和动态dV/dt耐用性,使其在高频和高电压环境下表现优异。

    技术参数


    | 参数名称 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压VDS | 650 | V |
    | 门源阈值电压VGS(th) | 2.0-4.0 | V |
    | 门源漏电流IDSS | 25 | µA |
    | 漏源导通电阻RDS(on) | 4.0 | Ω |
    | 最大连续漏极电流ID | 1.28 | A |
    | 最大门极电荷Qg | 11 | nC |
    | 最大门极到源极电荷Qgs | 2.3 | nC |
    | 最大门极到漏极电荷Qgd | 5.2 | nC |
    | 重复雪崩能量EAS | 165 | mJ |
    | 最大工作温度TJ | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:K2002-01MR-VB 具有低门极电荷,这减少了驱动要求,从而简化了电路设计。
    2. 高耐用性:改进的门极、雪崩和动态dV/dt耐用性提高了器件的可靠性和使用寿命。
    3. 全特性表征:器件的电容和雪崩电压及电流经过全面表征,确保稳定性和一致性。
    4. 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC,适用于环保要求严格的场合。

    应用案例和使用建议


    K2002-01MR-VB 广泛应用于电机驱动、电源变换器和逆变器等场景。例如,在电源变换器中,它可以作为开关元件,帮助实现高效的电压转换。对于实际应用,建议注意散热管理,确保在高电流工作条件下保持稳定性能。此外,使用低杂散电感和接地平面可以进一步优化系统性能。

    兼容性和支持


    K2002-01MR-VB 可以与其他标准的电子元器件兼容,特别是在需要高电压和高频操作的应用中。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括产品手册、应用指南和在线技术支持。此外,厂商还提供了详细的焊接指南和安装扭矩建议,以确保产品的正确安装和使用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件工作时出现过热现象。
    解决方法:增加散热片或改善通风条件,确保工作温度不超出最大允许值。
    2. 问题:启动时发现电流不稳定。
    解决方法:检查并调整驱动电路的设置,确保门极电荷匹配要求。
    3. 问题:系统出现异常噪音。
    解决方法:检查系统的接地和布局,避免信号干扰和杂散电感的影响。

    总结和推荐


    K2002-01MR-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,以其低门极电荷和高耐用性而著称。适用于电力转换和控制应用,能够提供高效稳定的性能。我们强烈推荐此产品给寻求高质量、可靠且环保的MOSFET解决方案的设计工程师。

K2002-01MR-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2002-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2002-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2002-01MR-VB K2002-01MR-VB数据手册

K2002-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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