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IXKP24N60C5M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: IXKP24N60C5M-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXKP24N60C5M-VB

IXKP24N60C5M-VB概述

    IXKP24N60C5M-VB 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXKP24N60C5M-VB 是一款由VBsemi公司生产的650V(漏源极)超级结功率MOSFET。它主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明领域,如高强度放电(HID)灯和荧光灯照明。此外,它还适用于工业应用。

    技术参数


    以下是IXKP24N60C5M-VB的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.19Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 71.06nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 14nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 33nC
    - 连续漏极电流 (ID): 25°C时为20A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 最大值为1.67W/°C的线性降额因子
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 360mJ
    - 最大功耗 (PD): 200W
    - 最高工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低品质因数 (FOM): Ron x Qg的值很低,有助于减少开关和传导损耗。
    - 低输入电容 (Ciss): 2322pF,降低了驱动电路的负担。
    - 超低栅极电荷 (Qg): 仅为71.06nC,有助于降低开关损耗。
    - 雪崩耐量 (UIS): 额定值为360mJ,提高了产品的可靠性。
    这些特点使得IXKP24N60C5M-VB在高效能电源转换和高速切换应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 在这类高可靠性要求的应用中,IXKP24N60C5M-VB的高雪崩耐量和低功耗特性使其成为理想选择。
    - 开关模式电源 (SMPS): 其超低栅极电荷有助于提高效率,降低发热,延长使用寿命。
    - 照明应用: 在高强度放电(HID)灯和荧光灯照明中,其优秀的开关特性和低输入电容使其能够适应快速变化的电流需求。
    使用建议:
    - 确保驱动电路的设计与IXKP24N60C5M-VB的输入电容相匹配,以避免驱动不足。
    - 考虑散热设计,特别是在高功率应用中,确保良好的热管理和适当的散热措施。

    兼容性和支持


    IXKP24N60C5M-VB与同类产品具有良好的兼容性,可用于标准的PCB安装。VBsemi公司提供详尽的技术支持和客户服务,以确保用户能够充分利用该产品的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关损耗过高
    - 解决方案: 优化驱动电路,降低栅极电阻,或者使用更低的Qg MOSFET。
    - 问题: 高温运行时可靠性下降
    - 解决方案: 使用更好的散热方案,如散热片或散热风扇,并确保良好的通风条件。

    总结和推荐


    综上所述,IXKP24N60C5M-VB是一款高性能的650V N-Channel超级结功率MOSFET,特别适用于需要高效率、高可靠性的电源转换应用。其优秀的电气特性、可靠性和良好的客户支持使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐在相关应用中使用该产品。

IXKP24N60C5M-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXKP24N60C5M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXKP24N60C5M-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXKP24N60C5M-VB IXKP24N60C5M-VB数据手册

IXKP24N60C5M-VB封装设计

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