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NTD6600N-1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,15A,RDS(ON),115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.41Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: NTD6600N-1G-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD6600N-1G-VB

NTD6600N-1G-VB概述

    NTD6600N-1G N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTD6600N-1G 是一款 N-Channel(N沟道)100 V(漏极到源极)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。该器件主要用于主开关电源转换应用,如在初级侧开关电路中作为高效能的开关组件。具有优异的热稳定性和可靠性,适用于多种工业及消费类电子产品。

    2. 技术参数


    | 参数 | 描述 | 值 |
    |
    | 漏极-源极电压(VDS) | 漏极与源极之间的最大电压 | 100 V |
    | 漏极电流(ID) | 最大连续漏极电流 | 15 A |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 门限电压范围 | - |
    | 管脚温度范围(TJ) | 工作温度范围 | -55°C ~ 175°C |
    | 热阻(RthJA) | 结点至环境的最大热阻 | 20°C/W |
    | 转导率(gfs) | 转导特性 | 25 S |

    3. 产品特点和优势


    - 高温耐受性:高达175°C的结点温度确保了在极端条件下工作的能力。
    - 可靠性高:所有样品均经过100%栅极电阻测试,确保可靠性。
    - 低导通电阻:RDS(on)值低,有助于降低功耗和提升效率。
    - 宽泛的工作温度范围:能够适应广泛的环境温度条件。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 用于电源转换器中的初级侧开关。
    - 适合各种工业控制和电机驱动系统。
    使用建议:
    - 在使用过程中,注意其最大工作电流为15A,需合理选择散热措施以防止过热损坏。
    - 如需更高频率工作,应考虑使用较小的栅极电阻以减少上升和下降时间。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品兼容标准TO-251封装,便于安装和使用。
    - 提供24个月的产品保修期和专业的技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 选择合适的散热器 |
    | 开关损耗高 | 降低栅极电阻 |
    | 噪声问题 | 使用EMI滤波器 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    NTD6600N-1G MOSFET凭借其出色的高温性能、高可靠性以及合理的成本,在各类工业和消费级应用中表现出色。它的低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其成为市场上极具竞争力的产品之一。
    推荐:
    强烈推荐使用NTD6600N-1G MOSFET在需要高效功率管理和温度适应性的应用场景中。它不仅性能优越,而且具有良好的可靠性和支持服务。

NTD6600N-1G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 15A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.41V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTD6600N-1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD6600N-1G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD6600N-1G-VB NTD6600N-1G-VB数据手册

NTD6600N-1G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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