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K3438-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K3438-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3438-VB

K3438-VB概述

    K3438-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3438-VB 是一种高性能的N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻和超低门极电荷等特点。适用于多种高压电源应用,包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及工业照明(如高强度放电灯和荧光灯)。其紧凑的设计使其能够广泛应用于各类电力管理系统中。

    技术参数


    K3438-VB MOSFET 的关键技术和性能参数如下:
    - 工作电压: VDS 最大值为 650V,在 TJmax(最高结温)时最大工作电压为 650V。
    - 导通电阻: 在 VGS = 10V 时的 RDS(on) 为 0.04Ω。
    - 门极电荷: Qg 最大值为 24nC。
    - 静态特性:
    - 门极-源极阈值电压: 2-4V
    - 零门极电压漏电流: VDS = 650V 时的漏电流为 1μA。
    - 动态特性:
    - 输入电容: Ciss 最大值为 2nF。
    - 输出电容: Coss 最大值为 57pF。
    - 反向传输电容: Crss 最大值为 40pF。
    - 绝对最大额定值:
    - 漏-源电压: VDS 为 650V。
    - 连续漏极电流: 在 TJ = 150°C 时为 4A。
    - 单脉冲雪崩能量: EAS 为 97mJ。

    产品特点和优势


    K3438-VB MOSFET 具备多个独特的功能和优势:
    - 低阻抗: 导通电阻仅为 0.04Ω,从而大幅降低功耗和提高效率。
    - 低门极电荷: Qg 为 24nC,有助于减少开关损耗。
    - 快速开关: 减少开关时间和反向恢复时间,从而提升工作效率。
    - 增强可靠性: 通过优化设计和制造工艺,提高了可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    K3438-VB MOSFET 广泛应用于各种电力系统中,例如:
    - 服务器和电信电源供应系统: 可以提供高效的电压转换,满足高电流需求。
    - 开关模式电源(SMPS): 用于提高系统的能源利用效率,减少发热问题。
    - 工业照明: 如高强度放电灯和荧光灯的应用,可以提高系统的稳定性和耐用性。
    使用建议:
    - 确保散热良好,防止过热损坏。
    - 遵循制造商提供的焊接温度建议,避免高温对器件造成损害。
    - 定期检查和维护,确保系统长期稳定运行。

    兼容性和支持


    K3438-VB MOSFET 与标准 TO-220 FULLPAK 封装兼容,便于安装和替换。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、技术支持和售后维修服务。若需更多技术文档或进一步咨询,请联系服务热线:400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com 获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题: 开关过程中出现异常噪音。
    - 解决方案: 检查电路板设计,确保良好的接地和较低的杂散电感。
    - 问题: 设备启动时出现不稳定的输出电压。
    - 解决方案: 适当调整外部栅极电阻,确保合适的驱动条件。

    总结和推荐


    综上所述,K3438-VB MOSFET 是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,特别适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电源系统。它具备出色的导通电阻和低门极电荷,可显著提升整体系统的能效。强烈推荐在高端电源管理和控制应用中采用此产品。

K3438-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3438-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3438-VB数据手册

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K3438-VB封装设计

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