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IRLI630A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: IRLI630A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLI630A-VB

IRLI630A-VB概述

    N-Channel 200 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本文介绍了VBsemi公司生产的N-Channel 200 V(D-S)MOSFET——IRLI630A-VB。这款电子元器件是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,广泛应用于电源管理、电机控制和其他需要高效开关能力的场合。其主要功能是通过控制电流的流动来实现电压的转换和功率调节,具备高效率和低损耗的特点。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数列表:
    - 最大漏源电压 (VDS):200 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on))(VGS = 10 V):0.265 Ω
    - 栅极电荷 (Qg (Max.)):16 nC
    - 输入电容 (Ciss):560 pF
    - 输出电容 (Coss):—
    - 栅极-漏极电容 (Crss):—
    - 上升时间 (tr):≤ 30 ns
    - 内部源电感 (LS):≤ 7.5 nH
    - 内部漏电感 (LD):≤ 4.5 nH
    - 结到环境的最大热阻 (RthJA):≤ 65 °C/W
    - 连续漏电流 (ID):10 °C时为6.5 A,100 °C时为6.5 A
    - 重复脉冲电流 (IDM):32 A
    - 最大结温 (TJ):175 °C
    - 最小工作温度 (Tstg):-55 °C
    - 最高峰值二极管恢复电压 (dV/dt):5.5 V/ns

    产品特点和优势


    IRLI630A-VB的主要优势在于其出色的高电压隔离性能(2.5 kVRMS),使其适用于高压环境下的应用。此外,它的低热阻和动态dv/dt等级进一步提升了其在电力系统中的可靠性和耐用性。采用无铅设计也符合环保要求,适用于现代电子产品的生产制造。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种电力变换及控制系统,例如开关电源、变频器、马达驱动等。使用建议如下:
    1. 散热管理:由于该产品具有较高的热阻,应考虑有效的散热措施,如使用散热片或热管。
    2. 信号处理:鉴于其快速的开关速度和低损耗特性,在高频信号处理中能有效减少能量损失。
    3. 保护措施:为了防止过电压损坏,应配置合适的保护电路,如瞬态抑制二极管(TVS)。

    兼容性和支持


    IRLI630A-VB支持标准的TO-220 FULLPAK封装,易于集成到现有的电路板设计中。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用产品并解决任何可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是几个常见的用户问题及其解决方案:
    1. 问题:产品在高温下表现不稳定
    - 解决方案:检查系统的散热设计,确保在高温环境下也能良好散热。

    2. 问题:接收到的产品无法正常工作
    - 解决方案:验证产品的接线是否正确,参考技术手册中的测试电路进行排查。

    总结和推荐


    IRLI630A-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,适合用于需要高可靠性、高效率的电力转换系统中。其显著的优势包括高电压隔离能力和良好的热性能。如果您正在寻找一款既可靠又高效的MOSFET,强烈推荐使用IRLI630A-VB。在使用过程中,请注意合理的散热管理和适当的保护措施,以确保最佳性能。

IRLI630A-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLI630A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLI630A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLI630A-VB IRLI630A-VB数据手册

IRLI630A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
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