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J528S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J528S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J528S-VB

J528S-VB概述

    J528S P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    J528S 是一款由VBsemi公司生产的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高可靠性等特点。主要应用于负载开关等领域,适用于各种需要高效能和高可靠性的电子系统中。

    技术参数


    以下是J528S的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | -60 | -60 | -60 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | -2.0 | -3.0 | V |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | -1 | -1 | -50 | μA |
    | 导通状态漏源电阻 | rDS(on) | 0.061 | 0.061 | 0.150 | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | 8 | 8 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | 1000 | 1000 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 120 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 100 | - | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 10 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 2.1 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 3.2 | - | nC |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽工艺,提高性能和可靠性。
    - 100% UIS测试:保证在雪崩条件下稳定运行。
    - 低导通电阻:典型值为0.061Ω,减少功耗和发热。
    - 宽工作温度范围:支持从-55°C到175°C的工作温度,适应各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    J528S广泛应用于负载开关电路中。例如,在电源管理模块中,可以作为负载开关来控制电路的通断。具体使用时,建议在设计电路时考虑散热措施,以避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    J528S采用标准的TO-252封装,易于与其他电子元件集成。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术文档、样品测试和定制化服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求选择适当的栅极电阻值,一般建议值为2.5Ω,以平衡驱动速度和EMI性能。
    2. 问题:在高温环境下工作时,导通电阻会增加吗?
    - 解决方案:是的,导通电阻随温度升高而增加。可以通过优化散热设计来减缓这一影响。

    总结和推荐


    J528S是一款高性能的P沟道MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性等特点。适用于多种工业和消费电子产品中的负载开关应用。总体而言,J528S是一款值得推荐的产品,尤其对于需要高效率和高可靠性的应用场景。

J528S-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 38A
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J528S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J528S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J528S-VB J528S-VB数据手册

J528S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
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