处理中...

首页  >  产品百科  >  K3023-VB

K3023-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K3023-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3023-VB

K3023-VB概述

    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 是一款高性能的N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于各种直流电源转换和电机驱动应用。该产品采用了先进的TrenchFET技术,确保在多种工作条件下的高可靠性。它的主要功能包括高效的电流控制能力和低导通电阻,使其广泛应用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器和电机驱动系统。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60V
    - 最大连续漏极电流(ID): 18A(在TC=25°C时)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 25A
    - 击穿电压(BVDSS): 60V
    - 栅极阈值电压(VGS(th)): 1.0V至3.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = 10V时为0.073Ω
    - 在VGS = 4.5V时为0.085Ω
    - 最大耗散功率(PD): 41.7W(在TC=25°C时)
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 高可靠性和稳定性:100%的Rg和UIS测试保证了产品的高可靠性。
    2. 低导通电阻:在不同栅极电压下具有低的导通电阻,有助于降低功耗。
    3. 高效能:采用TrenchFET技术,保证了高效率和低功耗。
    4. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适用于广泛的工业应用。

    应用案例和使用建议


    1. 直流/直流转换器:在需要高效能量转换的应用中,如太阳能逆变器和UPS系统。
    2. 直流/交流逆变器:在需要高频率开关控制的逆变器中,如电动汽车的驱动系统。
    3. 电机驱动:适用于高精度控制的伺服电机和步进电机驱动系统。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑在漏极和源极之间安装适当的散热装置,以确保在高电流运行时不会过热。
    - 在高压应用中,建议使用栅极电阻(Rg)来保护栅极不受瞬态电压的冲击。

    兼容性和支持


    该产品与市场上常见的直流电源转换器和逆变器兼容。制造商提供详细的技术支持,包括电路设计咨询和故障排除服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时出现异常发热。
    - 解决方法:检查电路设计,确认是否有足够的散热措施,并检查电路是否符合电气规范。

    2. 问题:栅极电压不稳定。
    - 解决方法:确保使用合适的栅极电阻,并检查电路连接是否正确。

    总结和推荐


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET凭借其高可靠性、低导通电阻和广泛的工作温度范围,在直流电源转换和电机驱动应用中表现出色。它不仅满足了现代电子系统的严格要求,而且在设计和制造过程中充分考虑了用户的需求。总体而言,这是一款值得推荐的产品,尤其适合需要高效率和高稳定性的应用场景。
    通过上述内容,我们可以看到N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 是一款非常优秀的电子元器件,无论是在功能还是性能上都表现出色。它在多种应用场景中均展现出卓越的表现,是一款值得信赖的选择。

K3023-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3023-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3023-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3023-VB K3023-VB数据手册

K3023-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831