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2SJ472-01S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: 2SJ472-01S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ472-01S-VB

2SJ472-01S-VB概述

    # P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    基本描述
    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的电子元器件,专为高效率和低功耗设计。它采用 TrenchFET® 技术,能够显著提高开关速度和降低导通电阻,使其成为负载开关和笔记本适配器开关的理想选择。
    主要功能
    - 高效开关性能
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 支持高电流工作环境
    - 卓越的热稳定性
    应用领域
    - 笔记本电脑电源管理
    - 便携式设备充电器
    - 工业控制设备
    - 汽车电子系统

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | - | 2.5 | V |
    | 栅源漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.033 0.046 | Ω |
    | 门极电荷 | Qg | 19 25 | nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    其他关键参数:
    - 最大连续漏极电流 (ID):30 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):112 A
    - 热阻 (RthJA):38°C/W(典型值)

    3. 产品特点和优势


    特点
    - Halogen-Free:环保设计,符合RoHS标准。
    - TrenchFET® 技术:显著提升开关速度和减少导通损耗。
    - 全面测试:100% Rg 和 UIS 测试确保产品质量。
    优势
    - 高效能:卓越的开关性能和低导通电阻使器件在各种条件下都能高效运行。
    - 可靠性:通过严格测试和认证,确保长期稳定运行。
    - 易用性:广泛的应用场景和简单的安装方式使其适合多种电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于笔记本电脑充电器中,实现高效的电流控制。
    - 电源管理:在工业控制设备中作为核心组件,提供稳定的电源输出。
    使用建议
    - 在高电流应用中,需注意散热设计以避免过热。
    - 结合产品特性优化电路布局,以达到最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 与主流电路板设计兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持多种封装形式,如 TO-252。
    支持
    - 提供详尽的技术文档和技术支持。
    - 客户可通过服务热线 400-655-8788 获得专业帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度较慢 | 检查门极驱动电路设计 |
    | 导通电阻过高 | 确保工作电压满足要求 |
    | 散热不良导致温度过高 | 增加散热片或改进散热设计 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 高效率:出色的开关性能和低导通电阻。
    - 环保设计:符合RoHS标准。
    - 稳定可靠:严格的测试流程确保质量。
    - 适用场景:
    适用于笔记本电脑电源管理、工业控制设备等领域。
    推荐结论
    该 P-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能且可靠的电子元器件,值得推荐给需要高效开关性能的客户。无论是设计复杂还是简单的电路系统,它都能提供卓越的支持和稳定性。
    如需进一步技术支持,请联系服务热线:400-655-8788。

2SJ472-01S-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 26A
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ472-01S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ472-01S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ472-01S-VB 2SJ472-01S-VB数据手册

2SJ472-01S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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起订量: 20 增量: 2500
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