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IRFU4104PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: IRFU4104PBF-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFU4104PBF-VB

IRFU4104PBF-VB概述

    # N-Channel 4-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本产品是一款 N-Channel 4-V (D-S) MOSFET(沟道场效应晶体管),采用先进的TrenchFET®技术制造。该产品主要用于同步整流和电源供应的应用场景。TrenchFET®技术提高了器件的功率密度和效率,使得产品在低电压、大电流应用中表现出色。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数名称 | 符号 | 极限值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | VDS | 4 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±25 | V |
    | 连续漏极电流(TJ = 175 °C) | ID | 85 (TC=25°C), 70 (TC=70°C) | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 250 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 80 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | 320 | V |
    工作环境
    - 最高工作温度:150 °C
    - 最低工作温度:-55 °C
    - 最大功耗(TC=25°C):312 W
    - 热阻:最大结到环境的热阻RthJA为40 °C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性:产品经过100% Rg和UIS测试,确保稳定可靠。
    - 低导通电阻:在10 V栅极电压下,导通电阻仅为0.0050 Ω,在4.5 V栅极电压下,导通电阻为0.0065 Ω。
    - 快速开关:开关时间短,典型值在10到170 ns之间,适用于高频应用。
    - 高效能:零栅源电压漏极电流(IDSS)非常小,确保器件在关断状态下的功耗较低。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品广泛应用于同步整流电路和各类电源供应系统中。例如,在一个直流-直流转换器设计中,可以将该MOSFET作为主要的开关器件来提高效率和减少热量。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,要注意散热,确保器件工作在安全的工作温度范围内。
    - 在进行高频开关操作时,选择合适的栅极驱动电阻以避免过大的开关损耗。
    - 注意栅极驱动电压,以确保MOSFET在正确的阈值电压范围内工作。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用标准TO-251封装,易于集成到各种电路板设计中。厂商提供了详细的技术文档和专业的技术支持团队,可以有效解决客户在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何判断MOSFET是否过热?
    解决方案:通过测量MOSFET外壳温度或结点温度来判断。如果温度超过最高工作温度,应及时采取散热措施,如加装散热片或改善散热条件。
    问题2:开关过程中的开关损耗如何最小化?
    解决方案:可以通过优化栅极驱动电阻来减少开关损耗。选择合适的栅极电阻可以减小开关时间,从而降低开关过程中的损耗。

    总结和推荐


    综合评估
    IRFU4104PBF是一款性能卓越的N-Channel 4-V MOSFET,具有出色的导通特性和低损耗特性。它的绝对最大额定值和电气特性表明其在恶劣环境中依然能保持良好的性能。
    推荐使用
    鉴于其优异的性能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高效、高可靠性功率开关的应用中使用IRFU4104PBF。无论是用于电源供应还是其他电力电子设备中,该MOSFET都是理想的选择。

IRFU4104PBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 85A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFU4104PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFU4104PBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFU4104PBF-VB IRFU4104PBF-VB数据手册

IRFU4104PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
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