处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK3067-VB

2SK3067-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 2SK3067-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3067-VB

2SK3067-VB概述


    产品简介


    2SK3067-VB N-Channel MOSFET
    2SK3067-VB 是一种 N 沟道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高压转换应用。它具有低门极电荷(Qg)特性,能够实现简单的驱动要求,同时具有改进的门极、雪崩及动态 dV/dt 耐久性。这款 MOSFET 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适用于多种工业和消费电子产品中需要高压和大电流的应用。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):650 V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时为 4.0 Ω
    - 总门极电荷(Qg):最大值为 11 nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):2.3 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):5.2 nC
    - 持续漏极电流(ID):在 TC = 100 °C 时为 1.28 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):8 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):165 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):2 A
    - 重复雪崩能量(EAR):6 mJ
    - 最高功率耗散(PD):在 TC = 25 °C 时为 25 W
    - 最大结温(TJ):150 °C
    - 存储温度范围(Tstg):-55 °C 到 +150 °C
    - 热阻抗:RthJA 最大值为 65 °C/W,RthJC 最大值为 2.1 °C/W

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:简化了驱动要求,减少了驱动电路复杂度和成本。
    2. 高可靠性:具备改进的门极、雪崩及动态 dV/dt 耐久性。
    3. 全面的电容和雪崩特性:提供了完整的门极、源极和漏极电容及雪崩电压和电流参数。
    4. RoHS 合规:符合环保标准,适合广泛应用。
    5. 温度适应性强:工作温度范围宽,能够在极端环境中稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK3067-VB 可用于各种电力转换设备中,如逆变器、电源供应器、马达驱动器等。例如,在逆变器应用中,它可以高效地进行高频开关,实现快速响应和高能效。
    使用建议
    1. 驱动电路设计:选择合适的驱动电阻,确保 MOSFET 在高速切换时不会出现过压或过流情况。
    2. 散热设计:由于其较高的功耗,合理设计散热系统是必要的。可以采用适当的散热片或风扇来降低工作温度。
    3. 并联使用:在高电流应用中,可以考虑并联多个 MOSFET 以分散电流负载。

    兼容性和支持


    2SK3067-VB 具有良好的兼容性,可以与其他标准的高压 MOSFET 和相关驱动电路配合使用。制造商提供详细的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利集成到现有的系统中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 减少驱动电阻,优化驱动波形 |
    | 过热导致性能下降 | 改善散热设计,增加散热片或冷却装置 |
    | 高频开关时噪声过大 | 增加去耦电容,优化 PCB 布局 |

    总结和推荐


    2SK3067-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 650V MOSFET,具备出色的开关特性和广泛的工作温度范围,适合于高压转换和驱动应用。其低门极电荷、高耐久性以及 RoHS 合规性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高压和大电流应用中使用此产品。

2SK3067-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3067-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3067-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3067-VB 2SK3067-VB数据手册

2SK3067-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336