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JCS2N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: JCS2N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N65F-VB

JCS2N65F-VB概述


    产品简介


    JCS2N65F-VB N-Channel 650V MOSFET
    JCS2N65F-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的高性能N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET的工作电压高达650V,适用于多种高电压应用场景,例如电源转换、电机驱动和汽车电子等。它具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,能有效降低驱动要求,提升整体系统效率。此外,该器件还具备出色的雪崩耐受能力,确保其在恶劣环境下的可靠运行。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 V ~ 4.0 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):25 μA @ VDS = 520 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C
    - 导通电阻 (RDS(on)):4.0 Ω @ VGS = 10 V
    - 总栅极电荷 (Qg):11 nC @ VDS = 400 V
    - 门限栅极电荷 (Qgs):2.3 nC
    - 门限漏极电荷 (Qgd):5.2 nC
    - 连续漏极电流 (ID):1.28 A @ TC = 100 °C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):165 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):2 A
    - 最大功耗 (PD):25 W @ TC = 25 °C
    - 热阻抗 (RthJA):65 °C/W
    - 热阻抗 (RthJC):2.1 °C/W
    - 最大结温 (TJ):150 °C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55 °C ~ +150 °C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:JCS2N65F-VB的低栅极电荷设计减少了驱动需求,简化了电路设计并降低了系统的整体功耗。
    2. 增强的鲁棒性:该MOSFET具备改进的门限、雪崩和动态dv/dt耐受性,提高了其在高应力条件下的可靠性。
    3. 全面的电容和雪崩特性:产品经过完全表征的电容和雪崩电压及电流测试,确保其在各种工作条件下的一致性和可靠性。
    4. 符合RoHS指令:JCS2N65F-VB符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求,确保环保和安全性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:JCS2N65F-VB的高电压承受能力和低导通电阻使其非常适合用于高频开关电源转换器。
    - 电机驱动:其优良的雪崩耐受能力适用于工业电机驱动系统,确保在极端环境下稳定运行。
    - 汽车电子:适合用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的高压电源管理。
    使用建议:
    - 在设计时,应充分考虑MOSFET的热阻抗特性,合理布置散热片以保证其长期稳定工作。
    - 在高功率应用中,建议采用外部冷却措施以进一步提高稳定性。
    - 设计中应注意MOSFET的驱动电路,选择合适的栅极电阻以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    JCS2N65F-VB MOSFET兼容广泛的应用场景和设备,尤其适用于高压和高频环境。台湾VBsemi公司为客户提供详细的技术文档和支持服务,包括产品说明书、样品寄送、设计指导和技术支持等。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温导致性能下降 | 确保散热措施得当,增加散热片或使用外部冷却系统。 |
    | 开关过程中出现振铃现象 | 优化电路布局,减少引线电感,并使用适当规格的栅极电阻。 |
    | 寿命期内失效 | 定期进行性能测试,及时更换有缺陷的产品,保持良好的工作环境。 |

    总结和推荐


    综上所述,JCS2N65F-VB是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,适用于高电压和高频应用。其低栅极电荷和强大的雪崩耐受性使得它在众多领域内表现出色。虽然价格相对较高,但考虑到其优异的性能和可靠性,我们非常推荐将其用于需要高效率和高可靠性的应用场景。对于追求性能和可靠性的工程师和设计师来说,这是一款值得考虑的产品。

JCS2N65F-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N65F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N65F-VB JCS2N65F-VB数据手册

JCS2N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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