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F5N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: F5N60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F5N60-VB

F5N60-VB概述

    F5N60-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    F5N60-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,适用于多种高压电源转换和驱动电路。该产品具备低栅极电荷(Qg)的特点,有助于简化驱动要求。此外,它具有出色的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐压能力,能够确保在各种复杂环境下稳定运行。F5N60-VB 符合 RoHS 指令,保证了环保和安全标准。

    2. 技术参数


    - 最大耐压(VDS): 650V
    - 导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω (VGS=10V)
    - 总栅极电荷(Qg): 48nC
    - 栅源电荷(Qgs): 12nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 19nC
    - 连续漏极电流(ID): 3.8A (TC=100°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 18A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 325mJ
    - 最大功耗(PD): 30W (TC=25°C)
    - 最大结到环境热阻(RthJA): 65°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC): 2.1°C/W
    - 雪崩电压温度系数(ΔVDS/TJ): 670mV/°C (参考25°C, ID=1mA)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:使得驱动要求简单化,减少了外部驱动电路的复杂度。
    - 增强型栅极、雪崩和动态dv/dt耐压能力:提高了可靠性,尤其适用于高功率应用。
    - 全面的容差特性:完全标定的电容和雪崩电压、电流特性,确保稳定运行。
    - RoHS合规性:符合环保要求,满足欧盟和国际市场的严格标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高压电源转换器:如光伏逆变器、开关电源等。
    - 驱动电机:适用于电动汽车和工业自动化系统中的电动机控制。

    - 使用建议:
    - 在高功率应用中,应特别注意散热设计,避免因过热导致的故障。
    - 对于长时间工作的场合,建议采用合理的散热策略,以延长使用寿命。
    - 使用适当的栅极电阻以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品广泛应用于多种高压电源转换和电机驱动电路,与常见的电路设计和控制器相兼容。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和支持服务,包括数据手册、应用指南和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇,确保良好的空气流通。
    - 问题2:驱动信号不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路的稳定性,适当调整栅极电阻值,确保信号质量。
    - 问题3:功耗过高
    - 解决方案:优化电路设计,减少不必要的能量损失,例如通过优化开关频率和负载匹配。

    7. 总结和推荐


    综上所述,F5N60-VB N-Channel 650V MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,适用于高压电源转换和电机驱动等多种应用场合。它的低栅极电荷和增强的耐压能力使其在复杂的工业环境中表现出色。尽管价格稍高于一般型号,但其卓越的可靠性和性能使其成为高性能应用的理想选择。我们强烈推荐该产品给需要高效、可靠电源转换和电机控制的用户。

F5N60-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F5N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F5N60-VB数据手册

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F5N60-VB封装设计

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