处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS2N60C-VB

JCS2N60C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: JCS2N60C-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60C-VB

JCS2N60C-VB概述

    JCS2N60C-VB MOSFET 技术手册详解

    产品简介


    JCS2N60C-VB 是一款 N 沟道 650V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的开关特性和可靠性。这款 MOSFET 广泛应用于电源转换器、逆变器、电机驱动等领域,特别是在需要高电压和高电流的应用场景中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 4.0 | - | Ω |
    | 门极电荷 | Qg | - | 11 | - | nC |
    | 门极电容 | Ciss | - | 417 | - | pF |
    | 门极-漏极电容 | Coss | - | 45 | - | pF |
    | 峰值二极管恢复电压上升率 | dV/dt | - | 2.8 | - | V/ns |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | +150 | - | °C |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 45 | - | W |
    | 热阻抗 | RthJA | - | 65 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    - 低门极电荷: 使得驱动需求简单,有助于降低系统成本。
    - 增强的门极、雪崩及动态 dv/dt 耐受性: 提升了整体可靠性,适用于严苛的应用环境。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流: 保证了器件的一致性和稳定性。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC: 确保环保合规,满足国际标准。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器: JCS2N60C-VB 在开关频率较高的应用场景中表现优异,能够提供稳定的输出。
    - 电机驱动: 由于其出色的动态 dv/dt 耐受性,适合用于电机控制中的逆变器部分。
    - 逆变器: 在高压应用中,其高击穿电压可以确保可靠的工作状态。
    使用建议:
    - 使用散热器以保持工作温度在安全范围内。
    - 确保 PCB 设计时减少寄生电感,提高电路的稳定性和效率。

    兼容性和支持


    JCS2N60C-VB 具有标准 TO-220AB 封装,便于安装和焊接。厂商提供了详细的焊接指南和安装扭矩要求,以确保正确安装。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗高 | 减少栅极电阻,优化驱动电路 |
    | 热管理不佳 | 使用合适的散热器,改善 PCB 布局|
    | 雪崩击穿 | 确保电路设计中雪崩能量限幅 |

    总结和推荐


    JCS2N60C-VB MOSFET 的主要优点在于其低门极电荷、增强的耐压能力和良好的可靠性。在高电压、高电流应用场合中表现出色,是电力电子领域的理想选择。对于需要高性能、高可靠性的应用场景,强烈推荐使用 JCS2N60C-VB。

JCS2N60C-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60C-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N60C-VB JCS2N60C-VB数据手册

JCS2N60C-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336