处理中...

首页  >  产品百科  >  KF12N68F-VB

KF12N68F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: KF12N68F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF12N68F-VB

KF12N68F-VB概述

    KF12N68F N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF12N68F 是一款高性能的 N-沟道功率 MOSFET,主要用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)。该产品在工业应用中也有广泛应用。

    技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压 \( V{DS} \) 为 650 V
    - 连续漏极电流:在 \( TJ = 150^{\circ} \text{C} \) 下为 12 A,在 \( TJ = 25^{\circ} \text{C} \) 下为 9.4 A
    - 脉冲漏极电流:最大值为 45 A
    - 输出电容:\( C{oss} \)
    - 阈值电压:\( V{GS(th)} \) 为 3 - 5 V
    - 漏源导通电阻:在 \( V{GS} = 10 \text{V} \) 下,最大值为 0.43 Ω
    - 输入电容:\( C{iss} \)
    - 总栅极电荷:最大值为 43 nC
    - 最大功耗:34 W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 最大值为 0.43 Ω,适用于高效率转换。
    2. 低输入电容:Ciss 使得驱动损耗更低。
    3. 快速开关:极低的栅极电荷 (Qg),有助于减少开关损耗。
    4. 高可靠性:能够承受重复脉冲冲击,可靠性高。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器和电信电源供应:适用于高效率电源系统。
    2. 开关模式电源供应 (SMPS):适合用于高频率应用。
    3. 荧光灯镇流器:能够有效驱动荧光灯。
    4. 高强度放电灯:用于大功率照明系统。
    使用建议:
    - 选择适当的栅极电阻 (Rg) 来控制开关速度。
    - 在高温环境下工作时,确保散热良好以避免过热。
    - 确保 PCB 布局合理,减少寄生电感和杂散电容的影响。

    兼容性和支持


    KF12N68F 可与同类 N-沟道 MOSFET 和相关驱动器兼容。制造商提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的散热效果。
    2. 栅极驱动不足
    - 解决方案:检查栅极电阻值,调整至合适的范围。
    3. 高频下振铃现象
    - 解决方案:优化 PCB 布局,减小寄生电感和电容。

    总结和推荐


    KF12N68F 是一款高性能、高可靠性的 N-沟道功率 MOSFET,特别适用于高效率电源转换应用。其低导通电阻和低输入电容特性使其成为服务器和电信电源供应的理想选择。综合来看,强烈推荐使用此产品以提升系统的整体性能和可靠性。

KF12N68F-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF12N68F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF12N68F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF12N68F-VB KF12N68F-VB数据手册

KF12N68F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336