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IRF730-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: IRF730-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF730-VB

IRF730-VB概述


    产品简介


    IRF730-VB 是一款N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET),适用于各种高能效的开关模式电源(SMPS)及不间断电源系统。这款MOSFET因其出色的耐热性和低导通电阻(RDS(on))而在工业和消费类电子产品中得到广泛应用。主要功能包括高效电流切换和良好的耐用性。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 600V
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)): 2.0-4.0V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 25μA (VDS=600V)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.780Ω (VGS=10V, ID=5.5A)
    - 电容特性:
    - 输入电容 (Ciss): 1400pF
    - 输出电容 (Coss): 1957pF (VDS=0V至480V)
    - 反向传输电容 (Crss): 7.1pF
    - 充电特性:
    - 总栅极电荷 (Qg): 49nC (VGS=10V, VDS=400V)
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 13nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 20nC
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 13ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 30ns
    - 上升时间 (tr): 25ns
    - 下降时间 (tf): 22ns
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 600V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (ID): 8.0A (TC=25°C),5.8A (TC=100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 290mJ

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: IRF730-VB具有较低的栅极电荷,使得驱动要求简化,易于控制。
    - 高可靠性和耐用性: 改进了门极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。
    - 全面的容性及雪崩特性: 详细规定了电容特性和雪崩电压电流参数,为设计者提供准确的参考数据。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式电源 (SMPS): 可用于高效率的电源转换,提高系统的整体性能。
    - 不间断电源系统 (UPS): 在电力供应不稳定时,确保关键设备的持续供电。
    使用建议:
    - 确保电路设计能够承受高达600V的电压冲击,特别是在高负载条件下的稳定性测试。
    - 优化电路布局以降低杂散电感,增强电磁干扰(EMI)性能。

    兼容性和支持


    - IRF730-VB与大多数标准电路设计兼容,适合多种高可靠性应用场景。
    - 制造商提供详细的安装指南和技术支持,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 产品发热过高。
    - 解决方案: 优化散热设计,增加散热片,确保达到规定的散热要求。

    - 问题: 导通电阻异常升高。
    - 解决方案: 检查是否超过了规定的栅极电压范围或温度限制。

    总结和推荐


    综上所述,IRF730-VB以其出色的耐热性和低导通电阻,特别适合于高能效的电源转换场合。凭借全面的技术参数和优秀的性能表现,它已成为电源管理领域的理想选择。强烈推荐使用此款MOSFET,尤其是在对性能和可靠性有高要求的应用环境中。

IRF730-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF730-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF730-VB数据手册

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IRF730-VB封装设计

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