处理中...

首页  >  产品百科  >  82N055-VB

82N055-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: 82N055-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 82N055-VB

82N055-VB概述

    文章标题:82N055-VB N-Channel 60V MOSFET 技术深度解析

    产品简介


    82N055-VB 是由 VBsemi 提供的一款高性能 N-Channel 60V(D-S)MOSFET 器件,属于 VBsemi 的 TrenchFET® Power MOSFET 系列。这种 MOSFET 主要应用于需要高功率处理能力和高效能运行的电子设备中。其主要特性包括支持最高 175°C 的结温范围、出色的低导通电阻性能,以及卓越的动态开关特性。这些优势使其成为电源管理、电机驱动、逆变器等领域的理想选择。

    技术参数


    以下为 82N055-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | 1 | 50 | µA |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) | - | 60 | - | A |
    | 导通状态下漏源电阻 | RDS(on) | - | 5 | 15 | mΩ |
    | 输出电容 | Coss | - | 570 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 7 | 70 | nC |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | 120 | - | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    此外,82N055-VB 支持在 25°C 下高达 136W 的最大功耗,并具有良好的热阻性能(RthJA = 15-18°C/W)。

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:82N055-VB 可承受高达 175°C 的结温,适用于极端工作环境。
    2. 高性能:其低导通电阻(RDS(on) 最小可达 5mΩ)可有效降低功耗,提升整体效率。
    3. 快速开关:动态参数如总栅极电荷(Qg)和反向传输电容(Crss)优异,保证快速的开关速度和高效能表现。
    4. 强抗浪涌能力:最大单脉冲雪崩能量(EAS)可达 125mJ,适用于工业级和高要求应用。
    这些特性使 82N055-VB 成为高性能电源管理和电机控制的理想选择,在市场中展现出强大的竞争力。

    应用案例和使用建议


    82N055-VB 在多种场景中得到了广泛应用,例如:
    - 开关电源:作为主控开关管,显著降低损耗并提高转换效率。
    - 电机驱动:适用于高功率电机驱动系统,确保快速响应和低发热。
    - 逆变器:可用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS),提供高效的功率转换。
    使用建议:
    1. 在设计电路时需合理规划散热方案,避免因过热影响性能。
    2. 在高频应用中,需关注寄生电感对开关速度的影响。
    3. 在多器件并联应用中,建议采用均流设计以优化性能。

    兼容性和支持


    82N055-VB 支持标准 TO-220AB 封装,易于与其他电子元器件集成。VBsemi 提供全面的技术支持和客户培训,确保用户在项目开发中获得最佳体验。同时,产品完全符合 RoHS 和无卤素标准,满足环保需求。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足导致性能下降 | 加强散热设计,使用更大面积散热片。 |
    | 开关过程中产生较高振铃现象 | 调整栅极电阻以优化开关波形。 |
    | 高频应用中出现异常噪声 | 使用滤波电容减少噪声干扰。 |

    总结和推荐


    综上所述,82N055-VB 是一款性能优越的 N-Channel MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关特性以及出色的高温耐受能力,在众多应用领域表现出色。对于需要高效能、高可靠性的电源管理和电机驱动应用,强烈推荐选用此款器件。
    如需进一步技术支持或样品咨询,请联系 VBsemi 客服热线:400-655-8788。

    © 2023 VBsemi Electronics Co., Ltd. All rights reserved.

82N055-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

82N055-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

82N055-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 82N055-VB 82N055-VB数据手册

82N055-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336