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K2518-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K2518-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2518-01MR-VB

K2518-01MR-VB概述

    K2518-01MR-VB N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K2518-01MR-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,专为需要高可靠性、低功耗和高速开关的应用而设计。它主要适用于电源管理、电机驱动、照明控制和其他功率转换应用。该产品采用表面贴装和低轮廓通孔两种封装方式,方便在多种电路板上安装和使用。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 200 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): VGS = 10 V 时,0.058 Ω
    - 最大栅源电荷 (Qg): 64 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 12 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 30 nC
    - 热阻:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 40°C/W
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC): 1.0°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 重复脉冲电流 (IDM): 72 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 580 mJ
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 5.0 V/ns
    - 动态 dv/dt 额定值

    产品特点和优势


    1. 环境友好: 符合 RoHS 指令(2002/95/EC)和 IEC 61249-2-21 标准,不含卤素。
    2. 高可靠性: 具备快速开关能力和全雪崩额定值,确保在极端条件下也能稳定工作。
    3. 低功耗: 低 RDS(on) 值使得器件在导通状态下的功耗极低。
    4. 高工作温度: 能够在高达 150°C 的环境下稳定运行。
    5. 兼容性: 采用 TO-220 FULLPAK 封装,易于在多种电路板上安装。

    应用案例和使用建议


    K2518-01MR-VB MOSFET 主要用于高功率和高频应用,如开关电源、电机驱动器、LED 照明和逆变器等。在使用时,建议注意以下几点:
    - 散热管理: 由于器件的高功耗特性,在使用时需特别关注散热设计,避免器件过热。
    - 布局优化: 电路板设计时,应尽量减少寄生电感,以提高器件的效率和可靠性。
    - 电压裕度: 确保供电电压的稳定性,避免电压波动对器件造成损害。

    兼容性和支持


    该产品与其他主流 N-Channel MOSFET 兼容,可以轻松替换同类产品。VBsemi 提供详细的技术文档和专业的技术支持团队,帮助用户解决在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 器件发热严重。
    - 解决方案: 检查散热设计,确保有足够的散热措施,如加装散热片或改善通风条件。
    2. 问题: 工作时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查供电电压是否稳定,确认是否有足够的去耦电容,避免电压波动影响器件正常工作。
    3. 问题: 器件损坏。
    - 解决方案: 确认是否在使用过程中超过了器件的最大额定值,如电流、电压等。必要时请咨询专业技术人员。

    总结和推荐


    K2518-01MR-VB N-Channel MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,尤其适合于高功率和高频率的应用场合。其独特的环保特性、高可靠性以及易于安装的特点使其在市场上具有很强的竞争优势。总体来说,该产品是值得推荐的选择,特别是对于需要高效能和可靠性的应用场合。

K2518-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2518-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2518-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2518-01MR-VB K2518-01MR-VB数据手册

K2518-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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