处理中...

首页  >  产品百科  >  HUFA76407P3-VB

HUFA76407P3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: HUFA76407P3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUFA76407P3-VB

HUFA76407P3-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本技术手册介绍了型号为HUFA76407P3-VB的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于电力电子领域的控制和开关应用,例如逆变器、电机驱动、电源转换等。它的核心特点是动态dV/dt评级、快速切换能力和简单的驱动需求。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | 60 | - | V |
    | 门源阈值电压 | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 源漏导通电阻 | - | - | 0.072 | Ω |
    | 输入电容 | - | 640 | - | pF |
    | 输出电容 | - | 360 | - | pF |
    | 反向传输电容 | - | -79 | - | - |
    | 门极总电荷 | - | - | 25 | nC |
    | 开启延迟时间 | - | 1 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | - | -25 | - | ns |
    | 瞬态热阻 | - | 62 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 动态dV/dt评级:提供更高的可靠性,能够承受瞬态电压变化。
    2. 快速切换:由于其低输入电容,可实现快速开关操作。
    3. 简单驱动需求:降低了对驱动电路的要求,简化系统设计。
    4. 并联容易:多芯片并联时能够保持良好的性能一致性。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于高频开关应用,如逆变器和电机驱动系统。以下是具体的应用案例:
    - 逆变器系统:用于将直流电转换为交流电。确保输入电压和电流满足规格要求。
    - 电机驱动系统:作为驱动电路的一部分,以实现精确的速度控制。建议进行充分的热管理以避免过热。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,应注意电容和谐波的影响。
    - 定期检查温度传感器以确保设备正常运行。

    兼容性和支持


    该产品支持标准的TO-220封装,易于集成到现有系统中。制造商提供了全面的技术支持,包括电话咨询(400-655-8788)和在线文档。此外,产品符合RoHS和卤素自由标准,适用于多种环境条件。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 温度过高怎么办?
    A: 确保正确安装散热片,使用合适的驱动电路。如果需要,请参考附录中的详细安装指南。

    2. Q: 开关速度慢怎么办?
    A: 调整驱动电路的参数,如降低栅极电阻,以提高开关速度。请参考产品手册中的推荐设置。

    总结和推荐


    HUFA76407P3-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,具备出色的动态性能和易于使用的特性。适用于多种电力电子应用,尤其适合需要快速开关和可靠性的场合。强烈推荐在设计高效率和高性能的电力转换系统时采用此产品。

HUFA76407P3-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Id-连续漏极电流 25A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HUFA76407P3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUFA76407P3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUFA76407P3-VB HUFA76407P3-VB数据手册

HUFA76407P3-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
1000+ ¥ 1.4077
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 33.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336