处理中...

首页  >  产品百科  >  QM12N50F-VB

QM12N50F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: QM12N50F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM12N50F-VB

QM12N50F-VB概述

    QM12N50F N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    QM12N50F 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道功率 MOSFET,具有 550V 的漏源电压额定值。这款 MOSFET 适用于消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业焊接设备、感应加热、电机驱动以及电池充电等领域。它的主要功能在于提供低阻抗、高效率和简化驱动电路的设计。

    技术参数


    以下是QM12N50F的主要技术规格:
    - 漏源电压(VDS):550V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on))@ 25°C,VGS=10V:0.26Ω
    - 最大栅极电荷(Qg):150nC
    - 栅极输入电容(Ciss):3094 pF
    - 输出电容(Coss):152 pF
    - 有效输出电容(Co(tr)):189 pF
    - 有效输出电容(Co(er)):131 pF
    - 峰值脉冲漏电流(IDM):56A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):281mJ
    - 额定工作温度范围:-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    QM12N50F 具备以下独特的功能和优势:
    - 低面积特定导通电阻:提供更低的功耗和更高的效率。
    - 低输入电容:减少了开关过程中的能量损耗。
    - 减少的电容开关损失:适合高频应用。
    - 高体二极管坚固性:增强抗冲击能力。
    - 雪崩能量额定值:确保在高压环境下稳定运行。
    - 简单门极驱动电路:易于集成和操作。
    - 快速开关特性:适用于高频率应用场合。

    应用案例和使用建议


    QM12N50F 在多个领域都有广泛应用,包括:
    - 消费电子:例如液晶电视或等离子电视显示器。
    - 服务器和电信电源供应系统:作为开关模式电源(SMPS)的组成部分。
    - 工业应用:如焊接、感应加热、电机驱动。
    - 电池充电器:用于高效充电电路。
    - 功率因数校正(PFC):提升系统的功率因数。
    使用建议:
    - 确保适当的散热设计以应对高电流和高电压下的发热。
    - 使用合适的栅极电阻来调节驱动信号,从而避免过高的栅极电压。

    兼容性和支持


    QM12N50F 与其他标准组件具有良好的兼容性,并且可以通过多种接口轻松集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术支持文档和热管理建议,以帮助用户进行设计和部署。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择正确的栅极电阻?
    - A:通过调整栅极电阻,可以控制驱动信号的速度和幅度。建议在应用中根据实际需求进行测试以确定最佳值。
    2. Q:如何防止高温引起的性能下降?
    - A:确保适当的散热措施,如使用散热片或风扇来保持设备在工作温度范围内运行。
    3. Q:如何提高雪崩能量处理能力?
    - A:选择具有更高雪崩能量额定值的产品,或者在应用中采用额外的保护措施,如限流电路。

    总结和推荐


    总体而言,QM12N50F N-Channel 550V Power MOSFET 是一款非常优秀的产品,具备出色的性能和广泛的应用领域。其优秀的散热性能和简单的驱动电路使其成为许多现代电子设备的理想选择。如果你需要一个高效、可靠的功率 MOSFET,QM12N50F 将是一个非常值得推荐的选择。

QM12N50F-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 550V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM12N50F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM12N50F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM12N50F-VB QM12N50F-VB数据手册

QM12N50F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336