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NTD85N02RG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: NTD85N02RG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD85N02RG-VB

NTD85N02RG-VB概述

    NTD85N02RG N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTD85N02RG 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道20伏特(D-S)TrenchFET功率MOSFET。该产品主要用于电源管理和转换,适用于各种高功率电子设备,如服务器、通信设备和工业控制系统等。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±15V
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 连续漏极电流 \( ID \):25℃时为100A;100℃时为80A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200A
    - 最大耗散功率:25℃时为71W,表面安装于1英寸×1英寸FR4板上时为8.3W
    - 工作温度范围:-55℃至175℃
    - 最高结温:175℃
    - 热阻抗:最大结到环境热阻 \( R{thJA} \) 为40-50℃/W;最大结到壳体热阻 \( R{thJC} \) 为1.75-2.1℃/W
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3660pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 730pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 375pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 26-35nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 5nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 7nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 20-35ns
    - 上升时间 \( tr \): 120-190ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 45-70ns
    - 下降时间 \( tf \): 20-35ns

    3. 产品特点和优势


    NTD85N02RG 的主要优势在于其高可靠性、低导通电阻 \( r{DS(on)} \),以及高达175℃的最大结温。这些特点使其在高温环境下仍能保持稳定的性能,特别适合高功率应用。此外,该产品的漏极电流高达100A,保证了在重负载条件下的稳定运行。所有产品均经过100%栅极电阻测试,进一步确保了产品的质量和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于电源管理领域,例如服务器电源、通信设备的开关电源以及工业控制系统的电机驱动等。具体应用中,可以考虑如下几点建议:
    - 在高频应用中,注意输出电容和反向转移电容对性能的影响,尽量选择低电容值的外置电容以减少寄生效应。
    - 在高电流环境下,建议并联使用多个器件以分散热负载,提高整体系统可靠性。
    - 使用时需合理选择散热措施,如增加散热片或使用水冷等方式,确保器件温度不超过175℃的安全范围。

    5. 兼容性和支持


    NTD85N02RG 采用标准TO-252封装,易于与其他标准封装的产品互换使用。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括在线技术支持、培训课程以及产品文档等资源,以帮助客户更好地使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品过热
    - 解决方案:检查散热设计是否足够,确保温度在安全范围内。
    - 问题2:电路噪声过大
    - 解决方案:选用低电容值的外置电容,并适当增加去耦电容,减小寄生效应。
    - 问题3:开关速度慢
    - 解决方案:降低栅极电阻,加快栅极电荷释放速度,从而提高开关速度。

    7. 总结和推荐


    NTD85N02RG N-Channel 20-V (D-S) MOSFET是一款高性能的功率MOSFET,具有出色的导通电阻和高温稳定性。它适用于多种高功率电子设备,尤其是在要求高温可靠性的场合表现出色。总体而言,该产品是值得推荐的选择,特别是对于需要在恶劣环境下工作的系统来说,是一个理想的选择。

NTD85N02RG-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 145A
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 15V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD85N02RG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD85N02RG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD85N02RG-VB NTD85N02RG-VB数据手册

NTD85N02RG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
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