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IRFH5303TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
供应商型号: IRFH5303TRPBF-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFH5303TRPBF-VB

IRFH5303TRPBF-VB概述

    IRFH5303TRPBF-VB N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFH5303TRPBF-VB 是一款 N-Channel 30V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 VBsemi 公司的产品线。这款 MOSFET 基于其特有的 TrenchFET® 功率技术,适用于笔记本电脑核心电压调节、VRM(电压调节模块)和 POL(点负载)等应用场景。它具有出色的性能参数和可靠性,广泛应用于各种电源管理及控制电路中。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 漏极-源极电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 门极-源极电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 漏极连续电流 \(ID\): 120 A(\(TJ\) = 25°C),在 70°C 时降为 90 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 60 mJ
    - 最大功耗 \(PD\): 210 W(\(TA\) = 25°C)
    - 性能参数:
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS}\) = 10 V 时为 0.003 \(\Omega\)(\(ID\) = 120 A)
    - 在 \(V{GS}\) = 4.5 V 时为 0.005 \(\Omega\)(\(ID\) = 90 A)
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 71 nC
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3200 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 1025 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 970 pF
    - 工作环境:
    - 操作结温范围 \(T{J}\): -55°C 至 175°C
    - 存储温度范围 \(T{stg}\): -55°C 至 175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:所有产品均经过 Rg 和 UIS 测试,确保长期稳定运行。
    - 低导通电阻:在不同的门极电压下,\(R{DS(on)}\) 保持较低,适用于高效能应用。
    - 高击穿电压:额定漏极-源极电压高达 30 V,确保可靠的电源管理。
    - 低功耗设计:低功耗特性使它适用于多种电源管理和节能应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 笔记本电脑核心电压调节
    - VRM(电压调节模块)
    - POL(点负载)系统
    - 使用建议:
    - 在笔记本电脑电源管理系统中,选择适当的门极驱动电压以优化 \(R{DS(on)}\),从而减少功率损耗。
    - 在大电流应用中,考虑外部散热措施以提高稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - IRFH5303TRPBF-VB 与大多数标准 PCB 制作工艺兼容,且易于表面安装。
    - 支持:
    - VBsemi 提供全面的技术支持和产品文档,客户可以通过 400-655-8788 联系服务热线获取更多信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 如何优化 \(R{DS(on)}\) 以降低功率损耗?
    - 解决方案: 通过调整门极驱动电压至合适的水平,可以显著降低 \(R{DS(on)}\) 并减少功率损耗。

    - 问题 2: 如何确保在高电流环境下稳定运行?
    - 解决方案: 使用外部散热装置如散热片或散热风扇,以确保 MOSFET 在高电流工作时不会过热。

    7. 总结和推荐


    - 总体评价:
    - IRFH5303TRPBF-VB 是一款性能卓越的 N-Channel MOSFET,特别适合用于高效率的电源管理和控制应用。
    - 其低导通电阻、高可靠性和宽广的工作温度范围使其成为众多工业应用的理想选择。
    - 推荐使用:
    - 鉴于其优异的性能和广泛应用领域,强烈推荐将 IRFH5303TRPBF-VB 用于笔记本电脑、服务器和其他需要高性能电源管理的应用中。

IRFH5303TRPBF-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.79V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,5mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFH5303TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFH5303TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFH5303TRPBF-VB IRFH5303TRPBF-VB数据手册

IRFH5303TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
5000+ ¥ 2.3759
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