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UTT60N06L-TN3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: UTT60N06L-TN3-T-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT60N06L-TN3-T-VB

UTT60N06L-TN3-T-VB概述

    UTT60N06L-TN3-T N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UTT60N06L-TN3-T 是一款由VBsemi推出的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其漏极-源极电压额定值为60V。这种器件采用TrenchFET®技术,旨在提供高效率和低损耗的电力传输解决方案。这款MOSFET广泛应用于直流电机驱动、电源转换模块、电池管理及其它需要高效能开关的应用场合。

    2. 技术参数


    以下是UTT60N06L-TN3-T的关键技术规格:
    - 漏极-源极电压 (VDS): 60V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在VGS=10V时为0.0050Ω,在VGS=4.5V时为0.0120Ω
    - 持续漏极电流 (ID): 97A
    - 工作温度范围: -55°C至+175°C
    - 热阻抗:结到空气的热阻(RthJA)为50°C/W;结到外壳的热阻(RthJC)为1.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    UTT60N06L-TN3-T具备多项显著优势:
    - 高效能的TrenchFET结构确保较低的导通电阻,从而减少功耗并提高效率。
    - 具备出色的热管理和强大的抗冲击能力,适合恶劣的工作环境。
    - 通过100% Rg和UIS测试,保证了产品的可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    UTT60N06L-TN3-T适用于多种应用场景,如:
    - 直流电机控制器
    - AC/DC或DC/DC转换器
    - 太阳能逆变器
    建议在使用过程中注意散热设计,以充分利用其低热阻特性;同时合理选择驱动电路参数以达到最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    该器件与大多数标准电路板兼容,并且VBsemi提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速集成到设计中。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题包括过载保护不足导致损坏等问题,解决方案可以通过优化外围电路设计来改善,例如增加保险丝或者采用更高效的冷却系统。

    7. 总结和推荐


    综上所述,UTT60N06L-TN3-T是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合于对效率要求较高的应用场合。鉴于其卓越的性能表现及其广泛应用的支持网络,我们强烈推荐此产品给那些寻求高质量电子元器件的企业和个人。

UTT60N06L-TN3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 110A
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT60N06L-TN3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT60N06L-TN3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT60N06L-TN3-T-VB UTT60N06L-TN3-T-VB数据手册

UTT60N06L-TN3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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交货地:
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型号 价格(含增值税)
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