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NTD80N02T4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: NTD80N02T4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD80N02T4G-VB

NTD80N02T4G-VB概述

    NTD80N02T4G 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: NTD80N02T4G 是一款 N 沟道增强型 TrenchFET® 功率 MOSFET。
    主要功能: 其核心功能在于提供高效率的开关性能,在低导通电阻和高电流能力之间实现了卓越平衡,适用于多种直流到直流转换、电机驱动及电源管理场景。
    应用领域: 广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备、消费电子等领域,特别是在需要高功率密度和耐高温的应用环境中表现优异。

    2. 技术参数


    以下是 NTD80N02T4G 的关键技术规格和技术特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | - 20 | V |
    | 漏源导通电阻 (rDS(on)) | VGS=4.5V | 0.0045 0.0055 | Ω |
    | 栅极-源极电压 (VGS) | - | -15 +15 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | TC=25℃ 100 A |
    | 最大功率耗散 (PD) | TC=25℃ 71 | W |
    | 最大工作温度 (TJ) | - | -55 +175 | ℃ |
    | 热阻抗 (RthJA) | - 40 | 50 | ℃/W |
    支持的电气特性:
    - 输入电容 (Ciss): 3660 pF
    - 输出电容 (Coss): 730 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 375 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 26~35 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 5 nC
    - 开关延迟时间 (td(on)): 20~35 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 45~70 ns
    - 下降时间 (tf): 20~35 ns
    其他性能:
    - 最大反向恢复时间 (trr): 35~70 ns
    - 源极-漏极二极管最大脉冲电流 (ISM): 100 A
    - 漏极-源极二极管正向电压 (VSD): 1.2~1.5 V

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - TrenchFET™ 技术:降低导通电阻并提高开关效率。
    - 超高温度适应性:最大结温可达 175℃,非常适合高温工作环境。
    - 高速开关性能:极短的开关延迟和上升时间。
    - 稳定的热性能:优异的热阻抗特性(RthJA = 40°C/W 至 50°C/W)。
    市场竞争力:
    - 在高温环境下的可靠运行能力使其成为高功率密度应用的理想选择。
    - 小封装设计(TO-252),便于在 PCB 布局中实现高效布局。
    - 优秀的开关效率和超低导通电阻确保能耗更低。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    1. 电动汽车充电器: NTD80N02T4G 能够承受高工作温度和大电流,适合作为车载充电器中的功率开关。
    2. 工业电机控制: 在电机驱动应用中,其高速开关能力和高可靠性能够显著提升整体系统效率。
    3. 通信电源模块: 用于服务器和通信设备的 DC-DC 转换器,其低导通电阻有助于降低功耗。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,建议优化散热设计以避免过热。
    - 在高频开关应用中,需关注输入和输出电容的寄生效应,合理配置栅极电阻 (Rg)。
    - 如需更高的电流能力,可以并联多个器件以分散负载。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - NTD80N02T4G 的 TO-252 封装标准与市面上大多数功率 MOSFET 相同,因此可以直接替换传统型号。
    - 支持主流焊接工艺,如表面贴装焊接,适用于现代电子制造流程。
    厂商支持:
    - 提供详细的技术文档和参数表,帮助客户快速上手。
    - 客户可联系 400-655-8788 服务热线获取技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 减小栅极电阻 Rg,降低开关速度 |
    | 散热不足导致结温过高 | 增加散热片面积,改善散热条件 |
    | 输出波形异常 | 检查驱动电路是否匹配器件规格,调整驱动参数 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - NTD80N02T4G 以其出色的导通电阻、高温耐受性和高速开关性能,在工业和汽车电子领域具有很高的实用价值。
    - 其紧凑的封装、兼容性强且易于部署的特点,使它成为许多高要求电子应用的理想选择。
    推荐结论:
    强烈推荐 NTD80N02T4G 用于对功率效率、高温适应性和空间限制有严格要求的项目。无论是从性能还是性价比的角度来看,这款产品都堪称行业标杆。

NTD80N02T4G-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 15V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 145A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD80N02T4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD80N02T4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD80N02T4G-VB NTD80N02T4G-VB数据手册

NTD80N02T4G-VB封装设计

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