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IRF7815TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF7815TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7815TRPBF-VB

IRF7815TRPBF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 150 V MOSFET IRF7815TRPBF
    IRF7815TRPBF 是一款N沟道150V(D-S)功率MOSFET,具有极低的Qgd值,特别适用于开关损耗控制。该产品广泛应用于初级侧开关电路中,例如电源转换和电机驱动系统。

    技术参数


    以下是IRF7815TRPBF的技术规格:
    - 电压参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 150 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 最大连续漏电流 \( ID \):
    - \( TC = 25°C \): 5.4 A
    - \( TA = 25°C \): 5.0 A
    - 最大单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 20 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 20 mJ
    - 最大功耗 \( PD \):
    - \( TC = 25°C \): 5.9 W
    - \( TA = 25°C \): 3.1 W
    - 最大接面温度范围 \( T{J, T{stg}} \): -55°C 到 150°C
    - 电阻和导通参数
    - 最小漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 V, ID = 5 A \): 0.080 Ω
    - \( V{GS} = 8 V, ID = 5 A \): 0.085 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1735 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 160 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 37 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - \( V{DS} = 75 V, V{GS} = 10 V \): 28.5 nC
    - \( V{DS} = 75 V, V{GS} = 8 V \): 23 nC
    - 热阻抗参数
    - 最大接面到环境热阻 \( R{thJA} \): 33 °C/W
    - 最大接面到引脚(漏极)热阻 \( R{thJF} \): 17 °C/W

    产品特点和优势


    IRF7815TRPBF具有以下显著特点和优势:
    - 极低的Qgd值:这使得它在高频率下能够减少开关损耗,提高能效。
    - 100% Rg和Avalanche测试:确保了产品的可靠性和一致性。
    - 环保材料:符合RoHS标准和IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。
    - 广泛的适用温度范围:能够在极端温度条件下正常工作。

    应用案例和使用建议


    IRF7815TRPBF在多种应用场合表现出色,特别是在初级侧开关电路中。根据手册,以下是一些使用建议:
    - 在设计时需要考虑到高频率下的开关损耗,选择合适的栅极电阻 \( Rg \) 以减少电磁干扰。
    - 确保良好的散热设计,特别是当工作温度较高时,以防止因过热而导致性能下降。
    - 在具体应用中,应通过详细的温度和电流测试来验证产品的实际表现。

    兼容性和支持


    IRF7815TRPBF与常见的SO-8封装兼容,便于集成到现有的电路板设计中。厂商提供详尽的技术支持,包括安装指南和详细的数据表,帮助用户进行正确的应用设计。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是一些用户可能遇到的常见问题及解决办法:
    - 问题:在高温环境下性能下降
    - 解决方法:检查并优化散热设计,确保良好的空气流通。
    - 问题:开关频率过高导致效率下降
    - 解决方法:减小栅极电阻 \( Rg \) 并进行适当的阻尼设计。
    - 问题:启动延迟时间长
    - 解决方法:调整栅极驱动电压以缩短启动延迟时间。

    总结和推荐


    综上所述,IRF7815TRPBF是一款高性能、可靠的N沟道150V MOSFET,特别适用于要求高效能和低开关损耗的应用场景。其显著的优势包括极低的Qgd值、100% Rg和Avalanche测试、以及符合环保标准。对于需要高可靠性、良好散热设计的应用场合,IRF7815TRPBF是一个理想的选择。我们强烈推荐使用该产品。

IRF7815TRPBF-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@10V,85mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5.4A
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7815TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7815TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7815TRPBF-VB IRF7815TRPBF-VB数据手册

IRF7815TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.3183
4000+ ¥ 2.2174
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