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J202-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n在电机控制系统中,该产品可用作电机驱动的开关管,用于控制电机的启停和速度调节。其高耐压性和低导通电阻特性使得电机驱动系统更加稳定和高效,适用于工业自动化、机器人等领域。\nP沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
供应商型号: J202-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J202-VB

J202-VB概述


    产品简介


    P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
    产品类型:
    本产品为一款P沟道20伏特的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:
    此MOSFET具备高功率密度,适用于负载开关及直流/直流转换器等电路中。其核心特性是TrenchFET®技术,能够显著降低导通电阻和提高整体效率。
    应用领域:
    广泛应用于消费电子、通信设备、工业自动化控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | -20 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±12 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(TJ = 150 °C) | ID | - | -3.1 | - | A |
    | 转换频率 | gfs | - | 5 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 272 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 55 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 44 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 4.3 | 6.5 | nC |

    产品特点和优势


    独特功能:
    - TrenchFET® 技术:此技术使得该MOSFET具有低导通电阻,适用于高效能电力转换应用。
    - 全检测试:所有产品都经过栅极电阻的全检测试。
    - 环保合规:符合RoHS和无卤素要求,适用于对环保要求高的场合。
    市场竞争力:
    该产品具有优异的导通性能和低功耗特性,在负载开关和DC/DC转换器的应用中表现卓越。同时,由于其出色的环境适应性,成为众多现代电子设备的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:适用于各种电子设备中的电源管理和控制。
    - 直流/直流转换器:用于便携式设备和电池供电设备的电源转换。
    使用建议:
    - 在选择适合的MOSFET时,应注意匹配负载电流和电压的要求。
    - 考虑到环境温度的影响,确保在高温环境下仍能保持正常工作。
    - 使用适当的散热措施以避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以方便地与其他标准的电子元器件和设备进行集成。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户在开发过程中获得有效的技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流不足 | 确保连接正确,检查是否有合适的偏置电压。 |
    | 热管理不佳 | 添加散热片或使用散热器以增强散热效果。 |
    | 工作温度超出范围 | 确保操作环境温度在规定的范围内。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:TrenchFET®技术提供了卓越的导通性能和低功耗,使其在多种应用场景中表现出色。
    - 推荐使用:该产品在电子设备设计和制造中表现出了出色的可靠性和效率,非常推荐在需要高效、高可靠性的电力转换应用中使用。

J202-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 3A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J202-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J202-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J202-VB J202-VB数据手册

J202-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
70+ ¥ 0.389
300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
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