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IRF74OSTRRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: IRF74OSTRRPBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF74OSTRRPBF-VB

IRF74OSTRRPBF-VB概述

    IRF74OSTRRPBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IRF74OSTRRPBF-VB 是一种高压 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。这种 MOSFET 主要用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明等领域,如高强度放电(HID)照明和荧光灯照明系统。此外,它还广泛应用于工业控制设备中。

    技术参数


    以下列出了IRF74OSTRRPBF-VB的主要技术参数:
    - 最高电压(VDS):650V
    - 漏极连续电流(TJ = 150°C):186A
    - 漏极源极导通电阻(RDS(on)):0.123Ω @ VGS=10V, ID=4A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):线性降额因子为0.6W/°C
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):21mJ
    - 最大功率耗散(PD):5W
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)):2V 至 4V
    - 输入电容(Ciss):1470pF
    - 输出电容(Coss):186pF
    - 门电荷(Qg):21nC
    - 门源电荷(Qgs):9nC
    - 门漏电荷(Qgd):5nC
    - 热阻(RthJA):63°C/W
    - 逆向二极管反向恢复时间(trr):190ns
    - 逆向恢复电荷(Qrr):2.3μC

    产品特点和优势


    IRF74OSTRRPBF-VB MOSFET 具有低通态电阻、低输入电容、快速开关特性和低栅极电荷等优势。具体来说:
    - 低通态电阻(RDS(on)):在25°C下,该MOSFET具有非常低的导通电阻,仅为0.123Ω,这使得其在传导状态下能够显著减少功耗。
    - 低输入电容(Ciss):1470pF的输入电容使其具备更快的开关速度,减少了驱动电路的负担。
    - 快速开关特性:超低的栅极电荷(Qg)和高效的门电荷(Qgs/Qgd)分布使其具备更快的开关速度,适合高频工作环境。
    - 强大的雪崩能量:高达21mJ的单脉冲雪崩能量使其在恶劣的工作环境下仍能可靠运行。

    应用案例和使用建议


    IRF74OSTRRPBF-VB MOSFET 广泛应用于各种电力电子系统中,如:
    - 电源管理:适用于服务器和通信设备中的电源转换系统,如SMPS和PFC。
    - 工业照明:适用于高强度放电(HID)灯具和荧光灯照明系统的电源驱动。
    - 工业控制:广泛应用于各种工业控制系统中,以提高效率和可靠性。
    使用建议:
    1. 散热管理:由于较高的最大功率耗散(5W),在使用时应确保良好的散热设计,防止过热导致损坏。
    2. 驱动电路设计:考虑到其低输入电容和高开关频率,设计驱动电路时应采用较小的栅极电阻,以实现快速开关。
    3. 电压保护:在电路中增加适当的电压保护措施,避免因瞬时高压而导致的损坏。

    兼容性和支持


    IRF74OSTRRPBF-VB MOSFET 支持与多种电源管理和工业控制设备兼容。台湾VBsemi提供全面的技术支持和维护服务,客户可通过400-655-8788热线获取技术支持,以及下载最新的技术文档和应用指南。

    常见问题与解决方案


    以下列出了一些常见的问题及其解决方案:
    1. 问题:如何处理过高的栅极电压?
    解决方案:确保栅极电压在±30V范围内,以免损坏器件。
    2. 问题:出现开关损耗过高怎么办?
    解决方案:优化电路设计,减小寄生电感和电容,或者选用更高频响应的驱动器。
    3. 问题:遇到逆向恢复电流(IRR)问题?
    解决方案:增加反向恢复二极管,减少电压瞬变的影响。

    总结和推荐


    IRF74OSTRRPBF-VB MOSFET 在性能、可靠性和应用范围上表现出色,特别适合在高功率、高频电力电子系统中使用。鉴于其出色的低导通电阻、低输入电容和快速开关特性,我们强烈推荐在各类工业和商业应用中选用此产品。结合台湾VBsemi公司的全面技术支持,可以确保在任何复杂的电力电子环境中发挥最佳性能。

IRF74OSTRRPBF-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 9A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF74OSTRRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF74OSTRRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF74OSTRRPBF-VB IRF74OSTRRPBF-VB数据手册

IRF74OSTRRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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