处理中...

首页  >  产品百科  >  P1212ATG-VB

P1212ATG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: P1212ATG-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P1212ATG-VB

P1212ATG-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N-Channel 100-V MOSFET,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。其主要功能是在电力电子应用中实现高效的开关操作,适用于多种工业和消费电子产品,如电源管理、电机驱动及太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 100V
    - 最大结温 (TJ): 175°C
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在环境温度为25°C时: 100A
    - 在环境温度为125°C时: 75A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 300A
    - 单次冲击雪崩能量 (EAS): 280mJ
    - 最高功率耗散 (PD):
    - 在环境温度为25°C时: 250W
    - 热阻抗 (RthJA):
    - 自由空气环境下的热阻: 62.5°C/W
    - 安装在PCB上的热阻: 40°C/W
    - 通道间电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS=10V, ID=30A时: 0.009Ω
    - 在VGS=4.5V, ID=20A时: 0.020Ω

    产品特点和优势


    1. 高温耐受能力: 该产品能够承受高达175°C的最大结温,适用于严苛的工业环境。
    2. 低导通电阻: 在高栅极电压下,该产品具有非常低的导通电阻(例如,在VGS=10V时为0.009Ω),这显著提高了能效。
    3. 设计保证: 该产品在设计上保证了其可靠性,雪崩能量测试通过设计保证,而非生产测试。
    4. 环保合规: 该产品符合欧盟RoHS标准,并且是无卤素的。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理系统: 该MOSFET可应用于大功率直流电源系统,用于实现高效的转换和调节。
    - 电机控制: 由于其高效的开关性能,该产品也非常适合于电动机驱动系统,以确保平稳和高效的运行。

    使用建议
    1. 散热管理: 考虑到其较高的功率耗散能力,设计电路时应注重良好的散热管理。
    2. 选择合适的栅极驱动: 为了确保最优的性能和效率,应选择适当的栅极驱动信号,避免栅极过压导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品设计用于广泛的应用场景,与其他常见的电子元件具有良好的兼容性。
    - 技术支持: VBsemi提供详尽的技术文档和支持,帮助客户在使用过程中解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:该MOSFET的最大连续漏极电流是多少?
    - 答:在环境温度为25°C时,最大连续漏极电流为100A;在125°C时为75A。

    2. 问:该产品是否可以承受高温环境?
    - 答:可以,该产品设计可承受高达175°C的结温。

    3. 问:如果需要更高的功率处理能力,是否有其他型号可选?
    - 答:是的,VBsemi提供了不同型号的产品,可以根据具体需求进行选择。

    总结和推荐


    该款N-Channel 100-V MOSFET凭借其高效能、高温耐受能力和低导通电阻,成为高性能电力电子应用的理想选择。特别是在高要求的工业环境中,它的可靠性和耐用性尤为突出。推荐在电源管理和电机控制系统中使用该产品。如果您对具体应用有任何疑问,VBsemi提供的全面技术支持将为您提供帮助。

P1212ATG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

P1212ATG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P1212ATG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P1212ATG-VB P1212ATG-VB数据手册

P1212ATG-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336