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K5A65D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K5A65D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5A65D-VB

K5A65D-VB概述

    # K5A65D N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K5A65D 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明设备等领域。这些应用通常需要高效率和高可靠性,K5A65D 正是为满足这些需求而设计的。

    技术参数


    以下是 K5A65D 的主要技术规格:
    - 电压额定值:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 最大漏源电压随温度变化 (ΔVDS/TJ): 0.65 V/°C
    - 电流额定值:
    - 最大连续漏极电流 (ID) @ 10 V VGS: 7.0 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 需参考最大结温
    - 电阻:
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 最大值 (25 °C) 1 Ω (VGS = 10 V)

    - 电容:
    - 输入电容 (Ciss): 最大值 (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz) pF
    - 输出电容 (Coss): 最大值
    - 反向传输电容 (Crss): 最大值
    - 栅极电荷:
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值 16 nC (VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V)
    - 栅源电荷 (Qgs): 最大值
    - 栅漏电荷 (Qgd): 最大值
    - 其他参数:
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 最大值 1 μA (VDS = 650 V, VGS = 0 V)
    - 反向恢复时间 (trr): 最大值 190 ns (TJ = 25 °C, IF = IS = 4 A, dI/dt = 100 A/μs, VR = 400 V)

    产品特点和优势


    K5A65D 的主要特点和优势如下:
    - 低损耗: 低栅极电荷 (Qg) 和低输入电容 (Ciss) 减少了开关损耗和导通损耗。
    - 高可靠性: 最大脉冲漏极电流 (IDM) 达到 7.0 A,能够承受较高的电流。
    - 高温性能: 具备较高的耐温能力,可在 -55°C 到 +150°C 的温度范围内正常工作。
    - 优化的封装: 采用 TO-220 FULLPAK 封装,具有优良的热性能和机械强度。

    应用案例和使用建议


    K5A65D 主要应用于以下场景:
    - 服务器和电信电源系统: 适用于需要高可靠性及低功耗的应用。
    - 工业照明: 如高能放电灯(HID)和荧光灯的驱动电路。
    - SMPS 和 PFC: 在这些场合下,其高效性和低损耗特征显得尤为重要。
    使用建议:
    1. 温度管理: 由于高温会影响器件性能,建议采用适当的散热措施,如加装散热片或风扇。
    2. 布局设计: 为了减少寄生电感和提高电路稳定性,在 PCB 布局时应考虑低寄生电感和接地平面的设计。

    兼容性和支持


    K5A65D 与大多数标准电路板组件兼容。VBsemi 提供技术支持和售后服务,包括产品手册、应用指南和技术支持团队。此外,VBsemi 还提供了详细的焊接和安装建议。

    常见问题与解决方案


    以下是几个常见的使用问题及其解决方法:
    1. 如何测量 RDS(on)?
    - 确保在正确的 VGS 和测试条件下进行测量。使用万用表或专门的测试设备测量 RDS(on)。

    2. 在高湿度环境下工作会导致什么问题?
    - 高湿度可能引起湿气腐蚀,导致电气性能下降。建议采取防潮措施,如密封外壳或添加防潮剂。
    3. 电路在启动时出现过冲现象如何处理?
    - 可能是因为寄生电感引起的电压瞬变。通过调整栅极电阻 (Rg) 和使用合适的驱动电路来缓解这一问题。

    总结和推荐


    综上所述,K5A65D N-通道功率 MOSFET 在服务器和通信电源、照明及工业应用中表现出色。其高效的性能、卓越的温度适应能力和可靠的制造工艺使其成为业界公认的选择。因此,强烈推荐在高要求的电源管理和工业控制应用中使用 K5A65D。

K5A65D-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K5A65D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5A65D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K5A65D-VB K5A65D-VB数据手册

K5A65D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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