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IPP03N03LA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: IPP03N03LA-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP03N03LA-VB

IPP03N03LA-VB概述

    IPP03N03LA-VB 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPP03N03LA-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-沟道 30-V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款产品采用了先进的 TrenchFET® 技术,具备高性能和高可靠性。其主要功能包括出色的电流控制能力和低导通电阻,适用于电源管理和电池管理等领域。
    应用领域:
    - OR-ing 应用:在电源切换过程中实现电流的高效控制。
    - 服务器:为服务器提供可靠的电源管理。
    - DC/DC 转换器:用于提高电源转换效率。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 60 | 120 | 120 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 64.8 | mJ |
    | 正向二极管电流 | IS | - | - | 90 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 250 | W |
    | 热阻率(结至环境) | RthJA | 32 | - | 40 | °C/W |
    | 热阻率(结至外壳) | RthJC | 0.5 | - | 0.6 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在栅源电压为10V时,典型值为0.003Ω;在4.5V时,典型值为0.004Ω。
    - 高可靠性:经过100% Rg和UIS测试,确保了产品的长期稳定性和可靠性。
    - 环保设计:符合RoHS指令,无铅化制造,有助于环境保护。
    - 适用广泛:可用于多种应用场景,如OR-ing、服务器及DC/DC转换器等。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源管理:IPP03N03LA-VB 在服务器电源管理系统中可以有效地进行电流控制,保证系统的稳定运行。
    - DC/DC转换器:在DC/DC转换器中,可以提高电源转换效率并降低能耗。
    使用建议:
    - 确保在安装时正确连接栅源电压(VGS),避免过高的电压导致损坏。
    - 由于其较高的连续漏极电流能力,可以在负载较重的应用中使用,但需要注意散热问题,以防止过热。
    - 针对高频率应用,注意选择合适的栅电阻值,以优化开关速度。

    5. 兼容性和支持


    IPP03N03LA-VB 采用标准的 TO-220AB 封装,易于与现有的电路板设计兼容。此外,VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 选择合适的栅电阻,减小开关损耗,改善散热条件。 |
    | 漏极电流过大导致损坏 | 确保实际工作条件不超过最大额定值,合理选用外部散热器。 |
    | 连接错误引起的功能异常 | 按照手册要求正确连接引脚,确保栅源电压不超过规定范围。 |

    7. 总结和推荐


    IPP03N03LA-VB 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性及广泛的适用范围。适用于电源管理和电池管理系统中的多种应用场景。鉴于其优秀的技术特性和良好的市场表现,强烈推荐在相关项目中使用该产品。
    服务热线:400-655-8788
    希望以上内容能够为您提供有价值的参考。如需更多详细信息,请访问 [VBsemi 官方网站](http://www.VBsemi.com) 或直接联系其客户服务团队。

IPP03N03LA-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP03N03LA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP03N03LA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP03N03LA-VB IPP03N03LA-VB数据手册

IPP03N03LA-VB封装设计

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