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PHX5N50E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: PHX5N50E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHX5N50E-VB

PHX5N50E-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET (D-S) 技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 650V功率MOSFET(D-S),型号为PHX5N50E。这是一种高效的电力开关元件,主要用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明等领域。此产品以其低损耗、高效率的特点,在各类高电压大电流应用中表现出色。

    技术参数


    - 主要技术规格
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):最大值 0.Ω(VGS=10V,ID=8A)
    - 总栅极电荷(Qg):最大值 43nC
    - 输入电容(Ciss):0pF(VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):未指定
    - 反向传输电容(Crss):未指定
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 最大连续漏极电流(ID):TC=25°C 时 12A;TC=100°C 时 9.4A
    - 最大反向恢复时间(trr):345ns(TJ=25°C,IF=IS=8A,dI/dt=100A/μs,VR=400V)
    - 工作环境
    - 绝对最大额定温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大接面至散热片电阻:0.8°C/W
    - 最大接面至环境热阻:60°C/W

    产品特点和优势


    PHX5N50E的主要特点包括:
    - 低品质因数(FOM)Ron x Qg
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少的开关和传导损耗
    - 超低栅极电荷(Qg)
    - 雪崩能量等级(UIS)认证
    这些特点使得PHX5N50E成为高电压应用的理想选择,尤其在需要高效、低损耗的场合中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:由于具有高耐压能力和低损耗特性,适用于服务器和电信电源系统,能够提高能效和可靠性。
    - 开关模式电源:可以有效减少电路中的开关损耗,从而提升整体转换效率。
    - 功率因数校正电源:通过其低损耗特性,提高PFC电源的效率,减少能源浪费。
    - 工业和照明应用:例如 HID 和荧光灯镇流器,用于提供稳定的驱动电流,减少能耗。
    使用建议:
    - 在高频应用中,考虑其寄生电容的影响,优化电路设计以减少开关损耗。
    - 确保良好的散热措施,避免过温导致的性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    PHX5N50E 设计上兼容大多数标准电源模块和控制系统。厂商提供全面的技术支持,包括在线文档、用户论坛和技术热线。此外,对于需要特定应用定制支持的客户,可以通过联系授权代表获得更详细的指导和服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确保正确的栅极驱动电压?
    - 解答:确保VGS始终在0V到±30V之间,避免过高或过低电压导致器件损坏。

    - 问题二:在高温环境下工作时出现异常发热怎么办?
    - 解答:检查散热装置是否正常运作,必要时增加散热措施或调整电路布局,以降低工作温度。
    - 问题三:产品长时间工作后发现输出波形失真怎么办?
    - 解答:检查是否存在过大的负载波动或瞬态电压冲击,适当增加滤波电容或调整驱动电路参数。

    总结和推荐


    总体而言,PHX5N50E 是一款高性能、高可靠性的N通道650V功率MOSFET。其低损耗、高效率的特点使其在多种应用中表现出色。特别是在需要处理高电压、大电流的应用场合下,该产品具有明显的竞争优势。因此,强烈推荐在涉及上述领域的项目中选用此产品。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请随时联系我们的技术支持团队。

PHX5N50E-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHX5N50E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHX5N50E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PHX5N50E-VB PHX5N50E-VB数据手册

PHX5N50E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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