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FQP10N60C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
供应商型号: FQP10N60C-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP10N60C-VB

FQP10N60C-VB概述

    FQP10N60C-VB 650V N-Channel Power MOSFET

    产品简介


    FQP10N60C-VB是一款由VBsemi公司生产的650V耐压的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它在多种高效率电源转换应用中表现出色,适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯管)、以及工业设备等领域。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS):650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):25°C时典型值为0.12Ω(VGS=10V)
    - 总栅极电荷 (Qg):典型值为43nC(VGS=10V)
    - 输入电容 (Ciss):典型值为2200pF(VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss):无固定数据,但可通过相关参数计算
    - 反向传输电容 (Crss):无固定数据,但可通过相关参数计算
    - 最大脉冲漏电流 (IDS):45A
    - 最大连续漏电流 (ID):25°C时典型值为12A,100°C时典型值为9.4A
    - 热阻 (RthJA):最大值为60°C/W
    - 最大结温 (TJ):-55°C至+150°C
    - 峰值焊接温度 (Tpeak):300°C,持续10秒

    产品特点和优势


    - 低FOM(Ron x Qg):低开启电阻与栅极电荷的乘积,有助于降低功耗。
    - 低输入电容 (Ciss):较低的输入电容降低了开关损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):减少驱动电路所需的能量,提高效率。
    - 抗雪崩能力:具有高雪崩能量等级 (UIS),能够承受瞬态高压冲击。
    - 高速开关:在快速切换过程中表现出色,减少了传导和开关损耗。

    应用案例和使用建议


    FQP10N60C-VB在各类电源转换设备中有广泛的应用,例如服务器电源和电信设备电源。它能够在高负载条件下保持高效能。为了充分利用其性能,建议采用低杂散电感和接地平面的设计布局,以减少寄生效应。此外,在设计驱动电路时应注意控制栅极电荷,以达到最佳开关性能。

    兼容性和支持


    该产品可与常见的电源转换系统兼容,并且VBsemi公司提供了详细的技术文档和应用指南。公司还提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决各种使用中遇到的问题。对于需要集成到特定系统中的应用,VBsemi公司会提供必要的技术支持,确保产品能顺利集成并运行。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何计算栅极电荷?
    - 解决方案:可以通过测量栅极电荷测试电路中的电压波形来计算。具体可以参考技术手册中的图17。
    - 问题:在高温环境下如何保证产品性能?
    - 解决方案:确保在高温环境下工作时不超过规定的最大结温(TJ),并适当降低负载以避免过热。
    - 问题:如何选择合适的栅极驱动电阻 (Rg)?
    - 解决方案:根据所需的最大开关速度和最小的栅极电荷损耗选择合适的栅极驱动电阻。通常,较大的Rg会减慢开关速度,但降低栅极电荷损耗;较小的Rg则相反。

    总结和推荐


    FQP10N60C-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET。其低FOM、低输入电容和优秀的抗雪崩能力使其成为高效率电源转换应用的理想选择。通过合理的设计和优化,它可以显著提升电源系统的整体性能。总的来说,这款产品值得在各类高要求的电源转换应用中使用,特别是那些需要高效、低损耗电源管理的应用场景。强烈推荐给需要高可靠性、高性能的工程师和技术人员。

FQP10N60C-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP10N60C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP10N60C-VB数据手册

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FQP10N60C-VB封装设计

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