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UK2996L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: UK2996L-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK2996L-TF3-T-VB

UK2996L-TF3-T-VB概述

    # UK2996L-TF3-T Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本介绍
    UK2996L-TF3-T 是一款高性能 N 沟道增强型 Power MOSFET,采用 TO-220 FULLPAK 封装形式,适用于多种高压应用。该产品凭借低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg)等特点,在功率转换领域表现优异。广泛应用于服务器与通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路及照明系统等领域。

    2. 技术参数


    以下为该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 参数符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | -30 | — | +30 | V |
    | 击穿电压 | BVDSS | 650 | — | — | V |
    | 导通电阻(25°C) | RDS(on) | — | 0.040 | — | Ω |
    | 栅极电荷(典型值) | Qg | — | 24 | — | nC |
    | 输入电容(Ciss) | — | — | — | 100 | pF |
    | 最大连续漏极电流(TJ=150°C) | ID | — | — | 40 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | — | +150 | °C |
    工作环境
    - 最大工作温度:150°C;
    - 工作湿度:无限制;
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C;
    - 绝对最大栅源电压:±30V;
    - 冲击防护等级:重复脉冲限制由最大结温决定。

    3. 产品特点和优势


    独特功能与优势
    - 低功耗设计:结合低 RDS(on) 和 Qg,大幅减少开关损耗与传导损耗,适合高频高效率电路;
    - 高可靠性:具有高雪崩能量等级(UIS),适应恶劣工作环境;
    - 快速开关特性:具备极低的栅极电荷和快速的开关速度,有助于减少电磁干扰(EMI);
    - 兼容性强:可应用于多种标准封装设备,方便替代同类器件;
    - 节能高效:针对现代电源转换设计,降低总系统功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和通信电源:优化电源模块设计,提升整体能效;
    - 照明系统:例如高强度放电灯(HID)和荧光灯驱动,用于商业及工业照明;
    - 工业应用:支持高压电路,适用于电机控制和逆变器。
    使用建议
    1. 在高频开关电路中,确保选择合适的驱动电路以匹配 Qg 和栅极电阻;
    2. 当工作环境温度较高时,注意散热设计,避免过热;
    3. 高压测试需特别关注击穿电压,严格按照额定值操作。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    UK2996L-TF3-T 可与市场上主流 TO-220 封装兼容,支持广泛的电路板布局和焊接工艺。
    厂商支持
    台湾 VBsemi 提供专业的技术支持和售后服务,包括在线培训和技术文档资源,帮助用户快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查驱动电路,调整栅极电阻阻值 |
    | 热管理不足 | 改进散热设计,选用更大面积散热片 |
    | 输出电流不稳定 | 确保电路布线低感抗,检查负载匹配 |

    7. 总结和推荐


    产品综合评估
    UK2996L-TF3-T 在导通电阻、开关速度和可靠性方面表现出色,是一款性价比极高的高性能 Power MOSFET。它特别适合高频、高效能的功率转换电路,广泛适用于通信、工业和消费电子领域。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用场景,强烈推荐给需要高能效、可靠性的工程师和技术团队。如需进一步技术支持,可联系台湾 VBsemi 的官方服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 查询更多资料。

    注:本文内容参考自技术手册 UK2996L-TF3-T 的相关描述,详细信息请以官方文档为准。

UK2996L-TF3-T-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UK2996L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK2996L-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UK2996L-TF3-T-VB UK2996L-TF3-T-VB数据手册

UK2996L-TF3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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