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PMF290XN-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3在电动工具控制器中,可用作电机驱动器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现电动工具的高效驱动和性能提升。
供应商型号: PMF290XN-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PMF290XN-VB

PMF290XN-VB概述

    PMF290XN N-Channel 20 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PMF290XN 是一款高性能的N沟道增强型20V MOSFET(漏源电压),专为低功耗、小型化设计需求而开发。它采用VBsemi的TrenchFET®技术,具有卓越的开关速度和导通电阻性能,广泛应用于便携式设备、负载开关以及电机、继电器和电磁阀控制等领域。此器件符合RoHS指令和无卤素标准,确保在环保合规的前提下提供高性能解决方案。

    2. 技术参数


    以下是PMF290XN的主要技术参数:
    - 漏源电压(VDS):20V
    - 典型导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10V时:0.036Ω
    - VGS=4.5V时:0.040Ω
    - VGS=2.5V时:0.048Ω
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TC=25℃:4A
    - TC=70℃:3.6A
    - 脉冲漏极电流(IMD):20A
    - 总门电荷(Qg):
    - 典型值:8.8nC
    - 最大值:13.5nC
    工作环境:
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55℃至+150℃
    - 热阻:
    - RthJA(最大):80°C/W
    - RthJF(最大):45°C/W

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-Free & RoHS Compliance:无卤素、符合RoHS标准,绿色环保。
    - 卓越的导通电阻:低RDS(on)确保更低功耗和更高效率。
    - 快速开关性能:典型值下td(on)为0.29μs,tf为0.75μs,适用于高频应用。
    - 高可靠性:100% Rg测试保证产品性能的一致性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 便携式设备:适用于电池管理电路中的负载开关,降低功耗和发热。
    - 电机控制:可作为小功率电机驱动的开关管,减少热损。
    - 电路保护:在关键电路中作为过载保护开关,防止系统过流损坏。
    建议使用时:
    - 确保电路设计中满足散热要求,避免因高温影响器件寿命。
    - 在高频开关应用中,需合理选择门极驱动电阻,以优化开关时间。

    5. 兼容性和支持


    PMF290XN 采用SOT-323封装,尺寸紧凑,易于安装,与多种主流PCB贴装工艺兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的设计指南和应用电路参考,同时承诺长期供货保障。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 检查驱动电压是否达到推荐值(VGS≥4.5V)。 |
    | 开关频率过高导致发热 | 增加散热措施,如外接散热片或改进PCB布局。 |
    | 开关延迟时间较长 | 调整门极电阻值以优化开关速度。 |

    7. 总结和推荐


    PMF290XN是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET,适用于便携式设备及电机控制等领域的负载开关。凭借其出色的导通电阻和快速开关性能,它在同类产品中表现出色,能够显著提升系统的效率和可靠性。综合评价,我们强烈推荐这款产品用于需要高效能和低功耗的场合。
    推荐指数:★★★★★

PMF290XN-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PMF290XN-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PMF290XN-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PMF290XN-VB PMF290XN-VB数据手册

PMF290XN-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
70+ ¥ 0.389
300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
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交货地:
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